PD最大耗散功率:52WID最大漏源电流:10AV(BR)DSS漏源击穿电压:650VRDS(ON)Ω内阻:0.45ΩVRDS(ON)ld通态电流:5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μAGfs(min)S跨导:SGfs(min)VDS漏源电压:VGfs(min)lo通态电流:A
立即咨询一、应用场景:
1. 电源开关电路:SVF10N65F 在开关电源中作为主开关管,控制电源的开关状态,确保电源输出稳定。
2. 电机驱动器:通过控制MOSFET的导通状态,SVF10N65F 用于电机的启动、停止和转向控制。
二、参数特点:
1. 低导通电阻:SVF10N65F 导通时提供较小的功率损耗,提高效率。
2. 高击穿电压:SVF10N65F 能够承受较高的电压,保证在高压环境下的可靠性。
3. 快速的开关特性:SVF10N65F 在导通到截止状态切换速度快,减少能量损耗。
4. 良好的温度特性:SVF10N65F 在不同工作温度下性能变化小,保证稳定性能。
综上所述,SVF10N65F 作为一款优秀的MOSFET晶体管,适用于电源管理和开关电路,其优异的参数特点保证了在各种环境下的可靠性和稳定性,使其成为众多电子设备中不可或缺的组成部分。
工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
电话:13534146615
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