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场效应MOS管STW7NC80Z参数

PD最大耗散功率:160WID最大漏源电流:6AV(BR)DSS漏源击穿电压:800VRDS(ON)Ω内阻:1.8ΩVRDS(ON)ld通态电流:3AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STW7NC80Z是一款功率MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),在电子电路中有广泛的应用。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:STW7NC80Z常用于开关电源和DC-DC转换器中,负责高效转换和调节电压。其低导通电阻和快速开关特性使其在这些应用中表现出色,有助于提高电源的效率和可靠性。

    2. 电机驱动:在电机控制系统中,STW7NC80Z可以作为开关元件使用,用于控制电机的启动、停止和速度调节。其高电流承载能力和低开关损耗使其非常适合用于驱动各种类型的电机,包括直流电机和无刷电机。

    3. 工业自动化:在工业自动化设备中,STW7NC80Z可以用于各种控制电路,例如继电器驱动、电磁阀控制等。其高耐压和高可靠性确保了在严苛的工业环境中能长期稳定工作。

    4. 消费电子:STW7NC80Z还广泛应用于消费电子产品中,如智能手机、平板电脑和笔记本电脑的电池管理系统。这些系统需要高效的电源转换和管理,以延长电池寿命并提高设备的性能。

    5. 新能源:在太阳能和风能等新能源系统中,STW7NC80Z可以用于逆变器和电池管理系统。其高效率和高可靠性有助于优化能源转换和储存,提高整个系统的性能和稳定性。

    二、参数特点:

    - 导通电阻(RDS(on)):STW7NC80Z的导通电阻非常低,典型值为70毫欧姆(mΩ)。低导通电阻意味着在开关过程中产生的损耗较小,有助于提高电路的整体效率,特别是在高电流应用中。

    - 额定电流和电压:STW7NC80Z的最大连续漏极电流为7.2安培(A),最大漏极-源极电压为800伏特(V)。这些参数使其能够处理较高的功率需求,并且适用于高电压环境。

    - 开关速度:STW7NC80Z具有快速的开关特性,典型的上升时间和下降时间分别为10纳秒(ns)和15纳秒(ns)。快速开关速度有助于减少开关损耗,并提高开关频率,这在开关电源和高频变换器中尤为重要。

    - 热性能:STW7NC80Z的热阻(结到环境)为62.5°C/W,这意味着在高功率操作时能够有效散热,防止过热,从而提高器件的可靠性和使用寿命。

    - 封装类型:STW7NC80Z采用TO-247封装,这种封装类型具有良好的散热性能和机械强度,适合用于需要高可靠性和耐用性的应用场合。此外,TO-247封装还便于安装和维护。

    通过详细了解STW7NC80Z的应用场景和参数特点,可以更好地选择和应用这款功率MOSFET,以满足不同电路设计和应用需求。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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