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插件三极管STW48NM60N参数

PD最大耗散功率:330WID最大漏源电流:44AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:0.07ΩVRDS(ON)ld通态电流:20AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μAGfs(min)S跨导:SGfs(min)VDS漏源电压:VGfs(min)lo通态电流:A

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    STW48NM60N是一种高性能的N沟道功率MOSFET,其应用领域非常广泛。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:STW48NM60N常被用于电源管理系统中,例如开关电源和不间断电源(UPS)。在这些系统中,STW48NM60N通过高效的电流传输和低导通电阻,实现了更高的效率和更低的功耗。

    2. 电动汽车和混合动力车辆:在电动汽车和混合动力车辆中,STW48NM60N也有广泛应用。由于其高耐压和高电流处理能力,该器件非常适合用于电动汽车的电池管理系统和电机驱动控制中。

    3. 太阳能逆变器:STW48NM60N还适用于太阳能逆变器。太阳能逆变器需要将直流电转换为交流电,并且要求高效、稳定的功率转换,STW48NM60N凭借其高开关速度和低损耗特点,成为这一应用中的理想选择。

    二、参数特点:

    - 高耐压:STW48NM60N的最大漏极电压为600V,这使得它在高电压应用中具有极高的可靠性。

    - 高电流处理能力:它的最大连续漏极电流为48A,提供了强大的电流处理能力。

    - 低导通电阻:该器件的导通电阻(R_DS(on))非常低,仅为0.028Ω,这确保了在高电流传输过程中产生的功耗最低。

    - 快速开关速度:STW48NM60N的典型开关时间为几十纳秒,能够在高频工作条件下维持高效稳定的性能。

    - 低栅极电荷:其栅极电荷(Q_g)较低,仅为170nC,这意味着其驱动损耗较低,可以使用更小、更便宜的驱动器来实现高效操作。

    综上所述,STW48NM60N凭借其高耐压、高电流处理能力、低导通电阻和快速开关特性,成为许多高效能电源管理系统、汽车电池管理系统和太阳能逆变器中的首选元件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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