PD最大耗散功率:417WID最大漏源电流:45AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:0.11ΩVRDS(ON)ld通态电流:22.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μAGfs(min)S跨导:15SGfs(min)VDS漏源电压:5.05VGfs(min)lo通态电流:22.5A
立即咨询一、应用场景:
1. 电源系统:STW45NM60在电源系统中扮演着关键的角色。它可用于开关电源、DC-DC转换器和逆变器等电源拓扑结构中,帮助实现高效、可靠的能量转换。
2. 电机驱动:作为功率开关器件,STW45NM60可用于各种电机驱动应用中,如直流电机驱动、步进电机驱动等。其低导通和开关损耗确保了电机驱动系统的高效性能。
3. 照明系统:在LED照明系统中,STW45NM60可用于LED驱动器和电源的设计。其低漏电流和高开关速度有助于提高LED照明系统的效率和稳定性。
4. 电动汽车充电桩:由于STW45NM60具有高功率处理能力和较低的导通电阻,因此在电动汽车充电桩中广泛应用。它能够帮助实现电能的高效转换和快速充电。
5. 工业自动化:在各种工业自动化设备中,STW45NM60可用于电力电子开关控制、电源管理和电机控制等方面,提高设备的效率和可靠性。
二、参数特点:
1. 低导通电阻(RDS(on)):STW45NM60具有很低的导通电阻,能够在导通状态下减少功率损耗,提高系统效率。
2. 高耐压能力(VDS):这款MOSFET具有高耐压能力,可在高压环境下稳定工作,适用于各种高压应用场景。
3. 快速开关速度:STW45NM60具有快速的开关特性,有助于减少开关过程中的能量损耗和电磁干扰。
4. 低漏电流:其低漏电流特性使得在关闭状态下的功耗得到降低,有助于提高系统的节能性能。
5. 可靠性:STW45NM60经过严格的质量控制和可靠性测试,具有稳定的性能和长期的可靠运行保证。
综上所述,STW45NM60作为一款性能稳定、功能全面的功率MOSFET,在各种应用场景中都能发挥重要作用,并且具有突出的参数特点,为系统设计提供了可靠的解决方案。
工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
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