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插件三极管STW3N150参数

PD最大耗散功率:83WID最大漏源电流:2.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:1500VRDS(ON)Ω内阻:9ΩVRDS(ON)ld通态电流:1.3AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μAGfs(min)S跨导:2.6SGfs(min)VDS漏源电压:30VGfs(min)lo通态电流:1.3A

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    STW3N150是一款N沟道功率MOSFET,具有广泛的应用场景和特点。以下将分别介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:STW3N150可用作开关电源中的主要功率开关,用于控制电源的开关状态,实现高效能的能源转换。其低导通电阻和高频率特性使其在高效率的电源转换中得到广泛应用。

    2. 电机驱动器:在工业自动化、电动车辆和家用电器中,STW3N150可用作电机驱动器的功率开关,控制电机的启停和转速,实现精确的电机控制和能源管理。

    3. LED照明:LED照明系统需要高效的功率开关来控制LED灯的亮度和稳定性,STW3N150的低导通电阻和高电流承受能力使其成为LED照明系统中的理想选择。

    4. 电动汽车充电桩:作为电动汽车充电桩中的功率开关,STW3N150可以实现快速充电和电能转换,确保充电效率和安全性。

    5. 太阳能逆变器:在太阳能发电系统中,逆变器需要高效的功率开关来实现直流到交流的转换,STW3N150可用作太阳能逆变器中的关键部件,提高太阳能发电系统的能源利用率。

    二、参数特点:

    1. 低导通电阻(RDS(on)):STW3N150具有低导通电阻,能够在开启状态下降低功率损耗,提高系统效率。

    2. 高电流承受能力:该型号具有较高的电流承受能力,能够在高电流负载下稳定工作,适用于需要大功率输出的场景。

    3. 高频率特性:STW3N150具有良好的高频特性,适用于高频开关电源和驱动器,能够实现高效的能源转换和电机控制。

    4. 低门电荷(Qg):其低门电荷使得在开关过程中响应速度更快,有助于减少开关损耗,提高系统的响应速度和稳定性。

    5. 温度稳定性:STW3N150在不同温度下的性能稳定性较好,能够适应各种环境温度条件下的工作要求,保证系统的可靠性和稳定性。

    综上所述,STW3N150作为一款高性能的N沟道功率MOSFET,具有广泛的应用场景和优异的参数特点,在电源管理、电机驱动、LED照明、电动汽车充电桩和太阳能逆变器等领域都有着重要的应用前景。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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