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场效应MOS管STW23NM60N参数

PD最大耗散功率:150WID最大漏源电流:19AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:0.18ΩVRDS(ON)ld通态电流:9.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STW23NM60N是一款来自STMicroelectronics的N沟道功率MOSFET,以其出色的性能和广泛的应用场景而闻名。本文将详细介绍STW23NM60N的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:STW23NM60N常用于开关电源电路中,尤其是高效DC-DC转换器和AC-DC转换器。其高击穿电压和低导通电阻特性使其非常适合处理高电压和高电流的转换需求,从而提高电源的整体效率。

    2. 电机驱动:在电机控制和驱动应用中,STW23NM60N凭借其快速开关速度和低开关损耗表现出色。它能有效地控制电机的启动、停止和转速调节,广泛应用于工业自动化、家电和电动工具等领域。

    3. 逆变器:STW23NM60N也被广泛应用于逆变器电路中,如光伏逆变器和不间断电源(UPS)系统。其高效能和可靠性使其能够在这些关键应用中提供稳定的电力转换和供电保障。

    4. 音频放大器:在高保真音频放大器设计中,STW23NM60N因其低导通电阻和低噪声特性,被用于高效能和高保真的音频信号放大,提供优质的音质输出。

    5. 电池管理系统:STW23NM60N在电动汽车和便携式电子设备的电池管理系统中也有重要应用。它能高效管理电池充放电过程,保证电池的安全性和寿命。

    二、参数特点:

    - 高击穿电压:STW23NM60N的击穿电压高达600V,使其能够在高压应用中提供可靠的性能,适用于各种工业和消费类电子产品。

    - 低导通电阻:STW23NM60N的典型导通电阻为0.17Ω,能够显著降低功率损耗,提高整体系统的效率。这一特性在开关电源和电机驱动应用中特别重要。

    - 高速开关:STW23NM60N具有快速开关速度,减少了开关损耗和热量生成,从而提高了系统的热管理能力和可靠性。

    - 低门极电荷:STW23NM60N的总门极电荷(Qg)仅为70nC,使其在驱动电路中需要的控制功率较低,适合高频开关应用,减少了驱动电路的复杂性和成本。

    - 坚固耐用性:STW23NM60N具备良好的耐用性,能够在苛刻的工作环境下稳定运行,抗冲击和振动能力强,确保长时间工作不失效。

    综上所述,STW23NM60N凭借其优越的参数特点和广泛的应用场景,成为许多电子工程师的首选器件。在电源管理、驱动控制和信号放大等领域,其表现出色,为各类电子设备的性能提升提供了可靠的保障。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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