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场效应MOS管STU7N60M2参数

PD最大耗散功率:60WID最大漏源电流:5AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:0.95ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STU7N60M2是一种高性能的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种需要高效开关和低导通损耗的电源管理领域。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):STU7N60M2在开关电源中扮演着至关重要的角色,特别是在中高功率转换器中。它的高电压和高电流特性使其非常适合用于功率因数校正(PFC)和主功率开关。

    2. 电动汽车充电器:随着电动汽车的普及,对高效、可靠的充电器需求日益增加。STU7N60M2的高耐压特性和低导通电阻使其成为电动汽车充电器的理想选择,能够确保高效的电能转换和稳定的充电过程。

    3. 工业控制系统:在工业控制系统中,电机驱动和其他高功率设备需要可靠的功率开关元件。STU7N60M2凭借其优异的开关性能和耐高压特性,能够提供稳定的性能和高可靠性。

    4. 光伏逆变器:太阳能光伏逆变器需要高效的功率转换器件来将直流电转换为交流电。STU7N60M2在这些逆变器中表现出色,能够有效提高能量转换效率,并减少系统中的热量生成。

    5. 不间断电源(UPS):在不间断电源系统中,可靠的功率转换至关重要。STU7N60M2以其高开关速度和低导通损耗,确保UPS系统能够在电力中断时快速响应,并提供稳定的电力供应。

    二、参数特点:

    - 高耐压能力:STU7N60M2的最大漏源极电压(Vds)为600V,这使其能够在高电压环境下稳定运行,适用于需要高耐压能力的应用场景。

    - 低导通电阻:其典型导通电阻(Rds(on))在10V栅源电压(Vgs)下仅为1.1欧姆。这意味着在导通状态下,STU7N60M2能够有效减少功率损耗,提高系统的整体效率。

    - 高开关速度:STU7N60M2具有极快的开关速度,这使其在高频应用中表现优异。快速的开关速度不仅能够提高转换效率,还能减少开关过程中产生的热量。

    - 栅极电荷量低:其典型总栅极电荷量(Qg)仅为47nC,这表明STU7N60M2在开关过程中需要的驱动功率较低,有助于减少驱动电路的复杂性和功耗。

    - 耐高温能力:STU7N60M2具有优异的热稳定性,最高结温可达150°C。这使其能够在高温环境下稳定工作,适用于恶劣的工作条件。

    综上所述,STU7N60M2是一款非常适合高效电源管理和高功率转换应用的功率MOSFET。其高耐压、低导通电阻和高开关速度等优异性能,确保了在各种复杂和苛刻的应用环境中都能提供稳定、可靠的性能。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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