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场效应MOS管STU666S参数

PD最大耗散功率:42WID最大漏源电流:6AV(BR)DSS漏源击穿电压:60VRDS(ON)Ω内阻:0.101ΩVRDS(ON)ld通态电流:3AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~3VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STU666S是一种常见的场效应MOS管,广泛应用于各种电子电路中。它的应用场景和参数特点如下:

    一、应用场景:

    1. 开关电路:STU666S常被用作开关电路中的开关元件。在这种应用中,它能够高效地控制电流的通断,实现对电路的精确控制。由于其开关速度快且导通电阻低,STU666S在开关电路中具有显著的优势。

    2. 电源管理:在电源管理电路中,STU666S常用作负载开关和电压调节器。它能够在高效转换电压的同时,提供稳定的电流输出,使其在电源管理应用中非常受欢迎。尤其在DC-DC转换器中,STU666S表现出色。

    3. 功率放大器:STU666S也被广泛应用于功率放大器中。其优良的线性度和高功率处理能力使其成为RF功率放大器和音频功率放大器的理想选择。在这些应用中,STU666S可以提高放大器的效率和信号质量。

    4. 保护电路:STU666S在保护电路中也发挥着重要作用,特别是在过电流和过电压保护电路中。它可以快速响应电路异常情况,防止电路元件受到损害,从而提高整个系统的可靠性。

    5. 电动汽车和新能源应用:随着电动汽车和新能源技术的快速发展,STU666S在这些领域的应用也越来越广泛。其高效的能量转换能力和优良的耐用性,使其成为电动汽车电池管理系统和新能源发电系统中的关键元件。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:STU666S具有极低的导通电阻(通常在几十毫欧姆范围内),这意味着在工作时损耗的能量非常少,效率很高。这一特点使其特别适用于高效能应用场景。

    - 高击穿电压:STU666S的击穿电压较高,一般在30V以上。这使得它在高电压环境下工作时,能够提供可靠的性能,避免电压击穿导致的损坏。

    - 高输入阻抗:作为MOS管的一大特点,STU666S具有很高的输入阻抗。这意味着它在控制端需要的电流非常小,可以由低功率的控制信号驱动,从而减少了控制电路的负担。

    - 快速开关速度:STU666S的开关速度非常快,可以在纳秒级别完成开关动作。这使其在高频开关应用中具有显著的优势,能够实现高频率、高效率的信号处理。

    - 热稳定性好:STU666S具有优良的热稳定性,能够在高温环境下稳定工作。其散热性能优越,能够有效地处理工作过程中产生的热量,从而保证长时间工作的可靠性。

    通过以上详细介绍可以看出,STU666S在电子电路中有着广泛的应用场景和独特的参数特点。它的低导通电阻、高击穿电压、高输入阻抗、快速开关速度和优良的热稳定性,使其成为现代电子设备中不可或缺的关键元件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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