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场效应MOS管STU419S参数

PD最大耗散功率:50WID最大漏源电流:-40AV(BR)DSS漏源击穿电压:-40VRDS(ON)Ω内阻:0.009ΩVRDS(ON)ld通态电流:-14AVRDS(ON)栅极电压:-10VVGS(th)V开启电压:-1~-3VVGS(th)ld(μA)开启电流:-250μA

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    STU419S是一种常用于各种电子电路中的场效应MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。它在多个应用场景中表现出色,主要包括以下几个方面:

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:在电源管理系统中,STU419S常被用作开关元件,能够高效地控制电流的通断,提高电源转换效率,减少能量损耗。这对于移动设备、笔记本电脑等需要长时间电池续航的电子设备尤为重要。

    2. 电机控制:在电机控制应用中,STU419S可以用于驱动电机的功率放大器。它能够提供足够的电流和电压支持,确保电机运行稳定。同时,其快速的开关速度有助于提高电机的响应时间和控制精度。

    3. 音频放大器:在音频放大器电路中,STU419S被用作功率放大器,以提升音频信号的输出功率。其低导通电阻和高电流处理能力使其能够提供清晰、高保真的音频输出,非常适合用于高品质的音频设备。

    4. 逆变器和转换器:在逆变器和转换器应用中,STU419S发挥着关键作用,尤其在光伏逆变器和电动汽车充电器中,它能高效地转换直流电和交流电之间的能量,确保设备的高效运行和稳定性。

    5. 保护电路:在过压保护和过流保护电路中,STU419S可以作为保护元件使用。它能够快速响应并切断电流,保护电子设备免受损坏,提升系统的安全性和可靠性。

    二、参数特点:

    - 导通电阻(RDS(on))低:STU419S的导通电阻非常低,这意味着在导通状态下,它能够提供较小的电阻,从而减少电能的损耗,提高系统的效率。通常其导通电阻在几毫欧姆级别。

    - 高电流处理能力:STU419S能够处理大电流,这使其适用于需要高电流驱动的应用,如电机控制和电源管理系统。其最大持续漏极电流可以达到数十安培。

    - 快速开关速度:STU419S具有快速的开关速度,能够在很短的时间内完成导通和关断操作。这对于高频开关电路来说非常重要,有助于提高整体电路的响应速度和效率。

    - 耐高压特性:STU419S具有较高的耐压能力,通常其漏源极间的击穿电压可以达到几百伏。这使其在高压应用中也能保持良好的性能和可靠性。

    - 低栅极驱动电压:STU419S的栅极驱动电压较低,这意味着它可以在较低的电压下实现高效的导通。这对于低电压电源系统来说是一个重要的特性,有助于降低整体电路的功耗。

    综上所述,STU419S场效应MOS管凭借其卓越的参数特点和广泛的应用场景,成为了现代电子电路设计中的重要元件。其高效能、可靠性和多功能性,使其在各类电子设备中得到广泛应用。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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