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场效应MOS管STP9NK70Z参数

PD最大耗散功率:156WID最大漏源电流:7.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:700VRDS(ON)Ω内阻:1.2ΩVRDS(ON)ld通态电流:4AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~4.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:100μAGfs(min)S跨导:5.3SGfs(min)VDS漏源电压:15VGfs(min)lo通态电流:4A

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    STP9NK70Z是一款常用于各种电源管理和开关电路中的N沟道MOSFET。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:STP9NK70Z广泛应用于DC-DC转换器、AC-DC电源和不间断电源(UPS)中,用于提高电源效率和稳定性。

    2. 开关电源(SMPS):在开关电源中,STP9NK70Z用于高速开关操作,以实现能量的高效传输和转换,常用于电脑电源、工业电源和家用电器电源中。

    3. 电动汽车控制系统:STP9NK70Z在电动汽车的电机控制和电池管理系统中发挥重要作用,确保高效能和低损耗。

    4. 太阳能逆变器:在太阳能发电系统中,STP9NK70Z用于太阳能逆变器的功率开关部分,帮助将直流电转换为交流电,并提高整体系统效率。

    5. 工业控制和自动化设备:在工业自动化设备中,STP9NK70Z用于控制电机、阀门和其他高功率设备的开关,保证系统的可靠性和长寿命。

    二、参数特点:

    - 高电流处理能力:STP9NK70Z的最大漏极电流(ID)为30A,能够处理高功率负载,适用于各种大功率应用。

    - 低导通电阻:该型号的典型导通电阻(RDS(on))非常低,仅为0.055Ω,有助于减少导通损耗,提高系统效率。

    - 高击穿电压:STP9NK70Z的漏源击穿电压(V(BR)DSS)高达700V,确保在高电压应用中稳定可靠,避免因电压波动导致的损坏。

    - 快速开关速度:STP9NK70Z具备快速开关特性,适用于需要高频操作的电路,如开关电源和DC-DC转换器。

    - 可靠性和耐用性:STP9NK70Z采用先进的制造工艺和设计,具有高可靠性和长寿命,能够在严苛的工作环境下稳定运行。

    综上所述,STP9NK70Z凭借其高电流处理能力、低导通电阻、高击穿电压、快速开关速度和优越的可靠性,成为电源管理、开关电源、电动汽车控制、太阳能逆变器和工业控制等领域的理想选择。这些特点使得STP9NK70Z在各种高要求的应用中都能够提供卓越的性能和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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