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插件三极管STP9NK60Z参数

PD最大耗散功率:30WID最大漏源电流:7AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:0.95ΩVRDS(ON)ld通态电流:3.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~4.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:100μAGfs(min)S跨导:5.3SGfs(min)VDS漏源电压:15VGfs(min)lo通态电流:3.5A

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    STP9NK60Z是一种性能优越的N沟道MOSFET,被广泛应用于各种电子设备和电力管理系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:STP9NK60Z常用于电源管理系统中,例如开关电源(SMPS)和直流-直流转换器。其高效的开关特性和低导通电阻使其成为理想的选择,能够有效减少能量损耗,提高系统效率。

    2. 电机驱动器:在电机驱动应用中,STP9NK60Z可用于控制电机的启动和停止,调节电机的速度和方向。其快速开关特性能够实现精确的电机控制,适用于各种工业和消费类电机驱动场景。

    3. 太阳能逆变器:STP9NK60Z在太阳能逆变器中扮演着重要角色。其高效能和可靠性可以提高太阳能系统的整体性能,确保电能从太阳能电池板高效转换为交流电,满足家庭和商业电力需求。

    4. 不间断电源(UPS):STP9NK60Z也广泛应用于UPS系统中,保障关键设备在断电时仍能正常运行。其高开关速度和低损耗特性,有助于提高UPS系统的响应速度和效率。

    5. 汽车电子:在汽车电子领域,STP9NK60Z常用于电控单元(ECU)、电动座椅调节器、车灯控制等应用中。其高可靠性和耐用性能够在苛刻的汽车环境中提供稳定的性能。

    二、参数特点:

    - 导通电阻(RDS(on))低:STP9NK60Z的典型导通电阻仅为0.14欧姆,这意味着在导通状态下,它能提供非常低的电阻,减少功率损耗,提升整体电路效率。

    - 高击穿电压:STP9NK60Z的最大漏源击穿电压为600伏特(VDSS),使其适用于高电压应用场景,能够承受较大的电压应力而不损坏。

    - 大电流处理能力:STP9NK60Z的连续漏极电流(ID)高达9安培,脉冲漏极电流(IDM)高达36安培,能够处理较大的电流,适用于高功率应用。

    - 快速开关速度:STP9NK60Z具有出色的开关速度,其典型开关时间为纳秒级,这对于高频开关应用非常重要,有助于提高系统的开关效率和响应速度。

    - 高可靠性和耐用性:STP9NK60Z经过严格的测试和认证,能够在各种恶劣环境下稳定运行。其耐高温特性和强大的电流处理能力,使其在长时间工作中也能保持高可靠性。

    通过以上的详细介绍,我们可以看出,STP9NK60Z凭借其卓越的性能参数和广泛的应用场景,成为各类电子和电力系统中的理想选择。无论是在工业控制、消费电子,还是在汽车电子领域,STP9NK60Z都能提供可靠、高效的解决方案。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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