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场效应MOS管STP90N55F4参数

PD最大耗散功率:150WID最大漏源电流:90AV(BR)DSS漏源击穿电压:55VRDS(ON)Ω内阻:0.008ΩVRDS(ON)ld通态电流:45AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STP90N55F4是一款N沟道功率MOSFET,具有多种应用场景,特别适用于高效电源管理和开关电源。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):STP90N55F4因其低导通电阻和快速开关特性,非常适合用于开关电源。它能够提高能效,减少开关损耗,使得电源系统更加节能可靠。

    2. 电动汽车充电系统:在电动汽车充电桩中,STP90N55F4作为开关元件,能够在高电流情况下保持低导通损耗,确保充电效率和安全性。

    3. 电机控制:对于电机控制应用,尤其是需要精确控制和高效能量转换的场合,STP90N55F4提供了出色的性能。它可以在电机驱动电路中提供可靠的电流控制和热管理。

    4. 太阳能逆变器:在太阳能逆变器中,STP90N55F4用作高效的转换开关,帮助提高整个系统的转换效率,减少能量损失。

    5. 电池管理系统:在电池管理系统中,STP90N55F4可用于电池充放电控制,确保电池在安全的工作范围内高效运行,延长电池寿命。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):STP90N55F4的典型导通电阻仅为0.0085欧姆,这使得它在大电流应用中具有非常低的功耗,显著提高了效率。

    - 高耐压能力:该器件具有55V的漏源极电压(VDSS)耐压能力,适用于多种需要较高电压处理的应用场景。

    - 大电流能力:STP90N55F4可以处理高达90A的连续漏极电流(ID),这使得它能够在高功率应用中表现出色。

    - 快速开关特性:这款MOSFET具有较低的开关损耗,开关速度快,适合高频应用,能够显著提升系统的工作效率和动态响应速度。

    - 热管理能力:STP90N55F4具有良好的热管理特性,能够在高功率工作条件下保持稳定的工作温度,确保器件和系统的可靠性。

    通过以上的应用场景和参数特点可以看出,STP90N55F4是一款性能优异、应用广泛的N沟道功率MOSFET,在各种需要高效能量转换和可靠电流控制的场合中都有着重要的应用价值。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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