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插件三极管STP8NK80Z参数

PD最大耗散功率:30WID最大漏源电流:6.2AV(BR)DSS漏源击穿电压:800VRDS(ON)Ω内阻:1.5ΩVRDS(ON)ld通态电流:3.1AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~4.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:100μAGfs(min)S跨导:5.2SGfs(min)VDS漏源电压:15VGfs(min)lo通态电流:3.1A

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    STP8NK80Z是一种高效的功率MOSFET器件,广泛应用于各种需要高可靠性和高性能的电力电子设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:在开关电源中,STP8NK80Z被用于高效的电能转换。其低导通电阻和高击穿电压使其在高频开关过程中表现出色,能够减少能量损耗,提高电源的整体效率。

    2. 电机驱动:电机驱动应用中,STP8NK80Z可以提供高效的电流传输和精确的速度控制。其高电流能力和快速开关速度确保电机运行的稳定性和效率。

    3. 逆变器:在逆变器应用中,STP8NK80Z被用作关键的开关元件。其出色的耐高压特性和低开关损耗使其在能量转换过程中,能显著提高系统的效率和可靠性。

    4. 电池管理系统:STP8NK80Z在电池管理系统中起到保护和控制的作用。其高电流处理能力和低损耗特性,确保了电池在充放电过程中的安全和高效。

    5. 太阳能逆变器:在太阳能逆变器中,STP8NK80Z用于将直流电转换为交流电。其高效能量转换和高耐压特性,使其在太阳能发电系统中发挥重要作用,帮助提高系统的整体效率。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):STP8NK80Z的导通电阻非常低,通常在几毫欧姆范围内。这意味着在电流通过时,能量损耗很小,从而提高了系统的效率。

    - 高击穿电压:该型号的击穿电压可达800V,适合高压应用场景。这一特性确保了在高压环境下的可靠性和安全性。

    - 高电流处理能力:STP8NK80Z可以处理高达8A的连续电流,适合需要大电流的应用。其高电流能力使其在需要高功率的电力电子设备中表现优异。

    - 快速开关速度:该型号具备非常快的开关速度,这对于开关电源和逆变器等需要高频开关操作的应用非常重要。快速开关速度有助于减少开关损耗,提高整体效率。

    - 低栅极电荷(Qg):STP8NK80Z的栅极电荷较低,这意味着在驱动时需要的能量较少,从而减少了驱动电路的复杂性和能量消耗。

    综上所述,STP8NK80Z凭借其低导通电阻、高击穿电压、高电流处理能力、快速开关速度和低栅极电荷等参数特点,成为各种电力电子应用中的关键元件。在这些应用场景中,STP8NK80Z提供了高效、可靠的性能,帮助提高系统的整体效率和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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