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MOS管STP8NA50FI参数

PD最大耗散功率:45WID最大漏源电流:4.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:0.85ΩVRDS(ON)ld通态电流:4AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2.25~3.75VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STP8NA50FI是一款高性能的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电源管理和转换系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:在开关电源中,STP8NA50FI常用于主功率开关元件。其低导通电阻和高开关速度使其能够有效地控制电流和电压,提供高效率的电源转换。

    2. 电机驱动:STP8NA50FI适用于直流电机和步进电机驱动电路中,能够提供高效率的电流控制和保护功能,确保电机运行的稳定性和可靠性。

    3. 逆变器:在逆变器应用中,STP8NA50FI常用作功率开关元件,能够高效地将直流电转换为交流电,广泛应用于太阳能逆变器和不间断电源(UPS)系统中。

    4. 电池管理系统:在电池管理系统中,STP8NA50FI用于电池的充放电控制,能够提供高精度的电流和电压控制,延长电池的使用寿命。

    5. 汽车电子:STP8NA50FI在汽车电子系统中应用广泛,包括电动汽车的电源控制、照明系统、空调控制等,能够提供高效的电能管理和保护。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:STP8NA50FI的导通电阻仅为0.8欧姆,能够有效减少导通损耗,提高电路的整体效率。这使其在高功率应用中具有显著的优势。

    - 高耐压能力:该器件的漏源极耐压高达500V,使其能够在高电压环境下稳定工作,适用于各种高压应用场景。

    - 高开关速度:STP8NA50FI具有快速开关特性,能够在短时间内完成导通和关断过程,减少开关损耗,提高系统的响应速度和效率。

    - 低栅极电荷:该MOSFET的栅极电荷较低,使其在驱动时所需的栅极电流较小,降低了驱动电路的功耗,进一步提高系统的效率。

    - 绝缘封装:STP8NA50FI采用TO-220绝缘封装,具有良好的热性能和电气隔离能力,确保器件在高功率、高温环境下稳定运行,并提供可靠的电气隔离保护。

    通过以上详细介绍,STP8NA50FI的应用场景和参数特点得到了全面展示。这款高性能的N沟道功率MOSFET在电源管理、电机驱动、逆变器、电池管理系统和汽车电子等领域有着广泛的应用,凭借其低导通电阻、高耐压能力、高开关速度、低栅极电荷和绝缘封装等优势,成为众多工程师的首选。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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