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插件三极管STP7NK80Z参数

PD最大耗散功率:30WID最大漏源电流:5.2AV(BR)DSS漏源击穿电压:800VRDS(ON)Ω内阻:1.8ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.6AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~4.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:100μAGfs(min)S跨导:5SGfs(min)VDS漏源电压:15VGfs(min)lo通态电流:2.6A

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    STP7NK80Z是一款具备高性能和多功能性的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备中。本文将详细介绍STP7NK80Z的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源转换器和开关电源:STP7NK80Z常用于电源转换器和开关电源中,因其具有高耐压特性(800V)和低导通电阻(RDS(on)),能够有效提高电源效率,减少热损耗。其出色的开关特性使其适合在高频下工作,从而减少了电源中的电磁干扰。

    2. 照明驱动电路:在LED驱动电路中,STP7NK80Z的高耐压和高电流能力使其成为驱动大功率LED的理想选择。其低栅极电荷(Qg)有助于降低驱动损耗,提高系统效率,延长LED的使用寿命。

    3. 电动机控制:STP7NK80Z还广泛应用于电动机控制领域,特别是在需要精确速度控制和高效能量转换的应用中。它的高雪崩能量和抗短路能力使其能够承受电机启动时的瞬态高压和大电流,从而保证系统的可靠性和稳定性。

    二、参数特点:

    - 耐压能力:STP7NK80Z的最大漏源电压为800V,这使其适用于高压环境。高耐压特性不仅增加了器件的应用范围,还提高了系统的安全性和可靠性。

    - 低导通电阻:该器件的导通电阻非常低,仅为0.98Ω(最大值),这意味着在工作时会产生较低的导通损耗。这一特性对于需要高效能量传输的应用至关重要。

    - 开关速度快:STP7NK80Z的开关速度非常快,这归功于其低栅极电荷(Qg)和低输入电容(Ciss)。这使得器件能够在高频下稳定工作,减少开关损耗,提高整体效率。

    - 高雪崩能量能力:该器件的高雪崩能量能力使其能够承受瞬态过电压情况,增加了其在苛刻应用中的可靠性。例如,在电动机控制应用中,STP7NK80Z可以抵抗启动瞬间的高能量冲击,保证设备的正常运行。

    - 热性能优异:STP7NK80Z具有良好的热性能,这意味着它可以在高功率条件下有效散热,保持稳定的工作状态。其最大结温可达150°C,这为器件在恶劣环境下的应用提供了保障。

    综上所述,STP7NK80Z凭借其卓越的性能和多样化的应用场景,成为了功率MOSFET市场中的重要一员。无论是在电源管理、照明驱动还是电动机控制领域,STP7NK80Z都能提供可靠、高效的解决方案。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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