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场效应MOS管STP7NK30Z参数

PD最大耗散功率:50WID最大漏源电流:5AV(BR)DSS漏源击穿电压:300VRDS(ON)Ω内阻:0.9ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~4.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:50μA

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    STP7NK30Z是一种高性能的N沟道功率MOSFET,被广泛应用于各种电子设备和电路中。其主要应用场景包括但不限于以下几方面:

    一、应用场景:

    1. 开关电源:STP7NK30Z在开关电源中扮演着重要角色,尤其适用于DC-DC转换器和AC-DC电源转换器。这种MOSFET能够高效地处理电流转换,减少能量损耗,提高电源效率。

    2. 电机驱动:STP7NK30Z常用于电机控制系统,如无刷直流电机(BLDC)的驱动电路中。其快速的开关速度和低导通电阻,使其能够在高频率下稳定运行,提供平稳的电机驱动性能。

    3. 照明系统:在LED照明和HID照明系统中,STP7NK30Z被用作电子镇流器和LED驱动电路中的开关元件。其高效能和耐用性,使其能够在长时间工作中保持稳定,延长照明设备的使用寿命。

    4. 音频放大器:STP7NK30Z也应用于高保真音频放大器中,作为输出级的功率放大元件。其优良的线性和低失真特性,确保了音频信号的高质量放大,满足音响设备对音质的苛刻要求。

    5. 保护电路:在电路保护方面,STP7NK30Z被用作过流保护和过压保护装置中的核心元件。其快速响应特性,可以有效保护电路避免因过流或过压而导致的损坏。

    二、参数特点:

    - 漏源电压(Vds):STP7NK30Z的最大漏源电压为300V,这使得它在高压应用中具有显著的优势,能够适应各种高压环境。

    - 导通电阻(Rds(on):STP7NK30Z具有低导通电阻,典型值为1.2Ω,这意味着在导通状态下,电流通过时的损耗较小,有助于提高电路的整体效率。

    - 漏极电流(Id):STP7NK30Z的最大连续漏极电流为6.8A,脉冲漏极电流更是可以达到27.2A,使其能够处理大电流负载,适用于大功率应用。

    - 开关速度:STP7NK30Z具有快速的开关速度,其典型上升时间和下降时间分别为18ns和36ns。这种快速响应能力,使其在高频开关电路中具有优异的性能。

    - 热阻:STP7NK30Z采用先进的封装技术,具有较低的结到环境热阻(RθJA)和结到壳热阻(RθJC),分别为62.5°C/W和4.2°C/W。这保证了其在高功率应用中的热管理性能,能够有效散热,避免过热损坏。

    综上所述,STP7NK30Z作为一款高性能的N沟道功率MOSFET,凭借其卓越的电气特性和广泛的应用场景,成为电子设计工程师们在高效能和高可靠性电路设计中的首选器件。无论是在开关电源、电机驱动、照明系统、音频放大器还是保护电路中,STP7NK30Z都展现出了其不可替代的重要性和优越性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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