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场效应MOS管STP6NB50参数

PD最大耗散功率:100WID最大漏源电流:5.8AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:1.5ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.9AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STP6NB50是一种常用于电子设备中的场效应晶体管(MOSFET)。这种元件在许多应用场景中表现出色,特别是在高效能和高可靠性的需求下。下面详细介绍STP6NB50的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:STP6NB50在电源管理领域具有广泛的应用。它可以用于开关电源、直流-直流转换器(DC-DC Converter)等设备中,提供高效的电能转换和稳定的电源输出。在这些应用中,STP6NB50能够承受高电压和大电流,确保设备的可靠运行。

    2. 电机驱动:在工业自动化和家用电器中,电机驱动是一个重要应用场景。STP6NB50可以用作电机驱动电路中的开关元件,控制电机的启动、停止和调速。它的高效能和快速切换特性使其能够有效减少能量损耗,提高系统的整体效率。

    3. 照明控制:STP6NB50在LED照明和节能灯的驱动电路中也有广泛应用。由于其低导通电阻和高开关速度,STP6NB50能够提高照明系统的效率,减少热损耗,从而延长灯具的使用寿命。

    4. 电池管理:在电池管理系统中,STP6NB50用于控制电池的充放电过程。它的高电流承载能力和耐高压特性使其在各种电池应用中表现出色,确保电池的安全性和稳定性。

    5. 通信设备:现代通信设备中需要大量的功率放大器和开关电路,STP6NB50凭借其出色的电气性能,被广泛应用于无线通信基站、路由器和其它通信设备中,提供高效能的电源控制和信号放大。

    二、参数特点:

    - 击穿电压(Vds):STP6NB50的击穿电压为500V,这意味着它能够在高电压环境下正常工作,而不会因电压过高而损坏。这使得它在高压应用中具有明显优势。

    - 导通电阻(Rds(on)):STP6NB50的导通电阻仅为0.85Ω,低导通电阻意味着在相同电流下,它的功耗更低,热量产生更少,从而提高了效率和可靠性。

    - 连续漏极电流(Id):STP6NB50能够承载6A的连续漏极电流,这使得它能够处理较大的电流负载,适用于高功率需求的应用场景,如电机驱动和电源管理系统。

    - 栅极电荷(Qg):STP6NB50的栅极电荷为22nC,这一参数反映了MOSFET的开关速度。较低的栅极电荷意味着它能够更快地开关,适用于高频开关电路,提升系统效率。

    - 工作温度范围:STP6NB50的工作温度范围为-55°C至150°C,宽广的温度范围确保它在各种严苛的环境条件下都能稳定工作,适用于工业和户外设备。

    综上所述,STP6NB50凭借其高击穿电压、低导通电阻、较大的漏极电流和快速的开关速度,在多个应用场景中表现出色。无论是在电源管理、电机驱动还是照明控制等领域,STP6NB50都能提供高效能和高可靠性的解决方案。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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