PD最大耗散功率:60WID最大漏源电流:4AV(BR)DSS漏源击穿电压:200VRDS(ON)Ω内阻:1.5ΩVRDS(ON)ld通态电流:30AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA
立即咨询一、应用场景:
1. 电源管理:STP4N20常用于开关电源(SMPS)、直流-直流转换器和电池管理系统中。这些应用要求器件具有低导通电阻和高开关速度,以提高效率和降低功耗。
2. 电机控制:在电机驱动应用中,如无刷直流电机(BLDC)和步进电机驱动器中,STP4N20能提供快速切换和高电流处理能力,从而确保电机的高效运行和精确控制。
3. 负载开关:STP4N20也可用于高电流负载的开关控制,如LED照明和加热器控制电路。这些应用中,MOSFET需要在大电流和高电压下保持稳定性能。
4. 汽车电子:在汽车电子系统中,STP4N20被用于控制各种电子单元,如电动窗、风扇控制和车灯系统。汽车电子需要器件在恶劣环境下具备高可靠性和耐用性。
5. 音频放大器:在高保真音频放大器中,STP4N20可以作为输出级的功率元件,提供清晰的音频信号放大,并具有较低的失真和高线性度。
二、参数特点:
- 最大漏源电压(VDS): 200V。这使得STP4N20能够在高电压应用中使用,提供较大的电压裕度。
- 漏极电流(ID): 4A。在25°C环境下,这一电流能力使得STP4N20能够处理中等功率的负载。
- 导通电阻(RDS(on)): 最大值为1.6Ω。这一参数反映了MOSFET的效率,较低的导通电阻意味着更低的功率损耗。
- 栅极电荷(Qg): 典型值为12nC。这一参数影响开关速度,较低的栅极电荷使得STP4N20能够实现快速开关操作。
- 结温范围(TJ): -55°C到175°C。这一宽温度范围保证了STP4N20在各种环境条件下的稳定工作性能。
综上所述,STP4N20是一款高性能的功率MOSFET,适用于多种环境,从电源管理到音频放大器。其卓越的电压和电流能力、低导通电阻和快速开关特性,使其成为电子设计工程师的优选元件。无论是在电源管理、电机控制、负载开关还是汽车电子和音频放大器,STP4N20都能提供可靠的性能和卓越的效率。
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