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场效应MOS管STP30NM60N参数

PD最大耗散功率:190WID最大漏源电流:25AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:0.13ΩVRDS(ON)ld通态电流:12.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STP30NM60N是一种高性能的N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于各种电子设备和电力系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:STP30NM60N常用于开关电源(SMPS)中的功率开关器件。这种应用中,MOSFET通过高频开关控制电能的转换和调节,实现高效能量传递和电压调节。

    2. 电机驱动:在电机驱动领域,STP30NM60N用于控制直流电机和步进电机的功率输出。其快速开关特性和高电流承载能力使其成为电机控制系统中的理想选择。

    3. 不间断电源(UPS):在UPS系统中,STP30NM60N用于逆变器和整流器模块,确保在电力中断时提供稳定的备用电源。其高效和低损耗的特点对于提高UPS系统的可靠性和效率至关重要。

    4. 太阳能逆变器:STP30NM60N也常用于太阳能逆变器中,通过将直流电转换为交流电,供家庭和工业使用。其高耐压和高效率使其在可再生能源系统中具有重要地位。

    5. 电动汽车:在电动汽车领域,STP30NM60N用于电池管理系统和电机控制模块。其高效率和耐高压性能帮助提升电动汽车的续航能力和整体性能。

    二、参数特点:

    - 漏源电压(Vds):STP30NM60N的最大漏源电压为600V。这意味着该器件能够在高压环境中可靠工作,适用于需要高耐压的应用场景。

    - 导通电阻(Rds(on)):该MOSFET的导通电阻为0.065Ω(典型值),在较低的电流通过时能够有效降低功率损耗,提高系统效率。

    - 最大漏极电流(Id):STP30NM60N的最大连续漏极电流为30A,这使其能够处理较大电流,适合高功率应用。

    - 栅极电荷(Qg):该器件的总栅极电荷为150nC,这一较低的栅极电荷值有助于实现快速开关,提高工作频率和效率。

    - 工作温度范围:STP30NM60N的工作结温范围为-55°C至+150°C,能够在各种极端环境下稳定运行,具有良好的热稳定性。

    综上所述,STP30NM60N作为一种高性能的N沟道MOSFET,凭借其优越的电气特性和广泛的应用场景,成为许多高效能和高可靠性电子设备中的关键元件。其高耐压、高电流处理能力以及快速开关特性使其在各类电力转换和控制系统中得到了广泛应用。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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