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插件三极管STP10NK70Z参数

PD最大耗散功率:35WID最大漏源电流:8.6AV(BR)DSS漏源击穿电压:700VRDS(ON)Ω内阻:0.85ΩVRDS(ON)ld通态电流:4.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~4.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:100μAGfs(min)S跨导:7.7SGfs(min)VDS漏源电压:15VGfs(min)lo通态电流:4.5A

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    STP10NK70Z是一款性能优越的N沟道MOSFET(场效应管),广泛应用于各种电力电子和电源管理系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):STP10NK70Z常用于开关电源中,因其具有低导通电阻和高击穿电压,能够有效提高转换效率并减小开关损耗。这在需要高效能量传输和严格热管理的电源系统中尤为重要。

    2. 电机驱动器:在工业和消费电子产品中,STP10NK70Z可以用于电机驱动器。其高电流承载能力和快速开关特性,使其在控制电机转速和方向时表现出色,适用于电动工具、家电等设备。

    3. 逆变器和变频器:在光伏逆变器和变频器中,STP10NK70Z的高电压和高效开关特性使其能够处理从直流到交流的高效转换,广泛应用于太阳能发电系统和变频控制系统。

    4. 汽车电子:STP10NK70Z在汽车电子中也有重要应用,如电源分配模块和车载充电器。其可靠性和耐高温特性,使其在恶劣环境下也能稳定工作。

    5. 消费电子:在各种消费电子设备中,STP10NK70Z被用于电源管理和充电电路,如笔记本电脑、智能手机和便携式电源设备,帮助优化能效和延长电池寿命。

    二、参数特点:

    1. 击穿电压(Vds):STP10NK70Z的击穿电压高达700V,能够承受较高的电压应力,适用于高压应用环境。

    2. 导通电阻(Rds(on)):导通电阻是MOSFET的重要参数,STP10NK70Z的导通电阻典型值仅为0.70Ω,在导通状态下损耗低,有助于提高整体电路的效率。

    3. 漏极电流(Id):STP10NK70Z的最大连续漏极电流为10A,适用于高电流需求的应用,提供足够的电流处理能力。

    4. 门极电荷(Qg):STP10NK70Z的总门极电荷为57nC,这意味着它能够快速响应控制信号,适合高频开关应用。

    5. 结温和工作温度范围:STP10NK70Z的结温范围为-55°C至150°C,能够在宽温度范围内稳定运行,适应各种严苛的工作环境。

    综上所述,STP10NK70Z是一款高性能的N沟道MOSFET,其卓越的电气特性和广泛的应用场景使其成为电力电子和电源管理系统中的理想选择。无论是在高效能量转换的开关电源,还是在严苛环境下工作的汽车电子,STP10NK70Z都能提供可靠的性能和稳定的工作表现。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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