PD最大耗散功率:160WID最大漏源电流:8AV(BR)DSS漏源击穿电压:900VRDS(ON)Ω内阻:1.3ΩVRDS(ON)ld通态电流:3.6AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~4.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:100μAGfs(min)S跨导:5.75SGfs(min)VDS漏源电压:15VGfs(min)lo通态电流:3.6A
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一、应用场景:
1. 电源管理:STF9NK90Z常用于开关电源(SMPS)和DC-DC转换器中。这种MOSFET能够承受高达900V的漏源电压,使其非常适合处理高压电路。它的快速开关速度有助于提高电源的效率,减少能量损耗。
2. 照明控制:在LED照明控制系统中,STF9NK90Z能够有效管理电流的流动,确保LED灯的稳定和高效工作。其低导通电阻特性使得它在低功耗应用中表现优异。
3. 电机控制:STF9NK90Z可以用于电机驱动电路,特别是在需要精确控制的场合,如工业自动化设备中。其高压耐受能力和快速响应特性,使其在这些应用中能提供可靠的性能。
4. 不间断电源(UPS):在UPS系统中,STF9NK90Z可以用于转换和整流电路,为设备提供稳定的电力支持。它的高可靠性和低漏电流特性有助于延长设备的使用寿命。
5. 音频放大器:在高保真音频放大器中,STF9NK90Z可以用作输出级元件,提供高线性度和低失真的输出,提升音质表现。
二、参数特点:
- 漏源电压(VDSS):STF9NK90Z的最大漏源电压为900V,这使得它能够在高压应用中工作,满足许多高压需求场合。
- 导通电阻(RDS(on)):该器件的典型导通电阻为1.15Ω(VGS=10V)。低导通电阻可以减少导通损耗,提升电路的整体效率。
- 门极电荷(Qg):STF9NK90Z的总门极电荷较低,约为29nC,这意味着它可以快速开关,适用于高速开关应用。
- 漏极电流(ID):最大连续漏极电流为9A,能够处理较高的电流负载,适合高功率应用。
- 热特性:STF9NK90Z的结到环境热阻较低,这使得它在高功率应用中能更好地散热,保持稳定的工作温度。
综上所述,STF9NK90Z是一款高压、高效的N沟道MOSFET,适用于多种需要高可靠性和高效能的电路设计中。它的广泛应用和卓越的参数性能,使得它成为电源管理、照明控制、电机驱动等领域的理想选择。
工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
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