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插件三极管STF5NK100Z参数

PD最大耗散功率:30WID最大漏源电流:3.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:1000VRDS(ON)Ω内阻:3.7ΩVRDS(ON)ld通态电流:1.75AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~4.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:100μAGfs(min)S跨导:4SGfs(min)VDS漏源电压:15VGfs(min)lo通态电流:1.75A

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    STF5NK100Z 是一种高压N沟道MOSFET,广泛应用于各种电源管理和转换电路中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:STF5NK100Z 常用于开关电源、适配器和电池管理系统。由于其高耐压能力(1000V),该器件特别适合用于高压转换器和工业电源中。

    2. LED驱动器:在LED驱动器、电机控制器以及逆变器电路中,STF5NK100Z 的低导通电阻和快速开关特性能够有效降低功率损耗,提高系统效率。

    3. 高功率密度应用:得益于其优良的热性能,STF5NK100Z 还适合在高功率密度的应用场景下工作。

    二、参数特点:

    - 高耐压:STF5NK100Z 的最大漏源电压为1000V,最大连续漏极电流为4.4A(在100°C下)。

    - 低导通电阻:其最大导通电阻(RDS(on))为3.6Ω,在低栅极电压下能够提供良好的导通性能。

    - 栅极阈值电压:该器件的栅极阈值电压约为4V,确保其在高噪声环境中的稳定性。

    - 优异的热性能:该MOSFET还具有优异的热性能,其最大结温可达150°C,结合其高效的热阻特性,使得STF5NK100Z 能够在高温和高功率密度条件下可靠运行。

    - 低栅极电荷:它的栅极电荷(Qg)较低,使其能够以较低的功耗快速切换,适合高速开关应用。

    综上所述,STF5NK100Z 以其高电压和高电流处理能力、低导通电阻、良好的热性能和快速开关特性,成为电源管理和高压转换器中的理想选择。在实际应用中,这些特性确保了设备的高效性和可靠性,使其在各种工业和消费类电子产品中得到广泛应用。无论是在开关电源还是在电机控制等领域,STF5NK100Z 都表现出色。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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