PD最大耗散功率:3WID最大漏源电流:0.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:4.8ΩVRDS(ON)ld通态电流:1AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~4.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:50μAGfs(min)S跨导:1.5SGfs(min)VDS漏源电压:15VGfs(min)lo通态电流:1A
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一、应用场景:
1. 电源管理:在电源管理系统中,STF2HNK60Z常用于开关电源(SMPS)、直流-直流转换器(DC-DC Converter)和电池管理系统(BMS)。其高效的开关特性和低导通电阻,使其能够在高频操作下减少能量损耗,提高系统的整体效率。
2. 电动工具:电动工具需要高效且可靠的功率控制,STF2HNK60Z在这些应用中表现出色。其高电流处理能力和耐高压特性,确保了在苛刻工作条件下的稳定运行。
3. 汽车电子:现代汽车中电子控制单元(ECU)的数量不断增加,对功率元件的需求也越来越高。STF2HNK60Z因其优异的耐高压和低损耗特性,被广泛应用于汽车电子控制系统,如电动助力转向(EPS)、电动泵和电机驱动等。
4. 工业控制:在工业控制系统中,STF2HNK60Z被用于驱动各种类型的电机和执行器。其高耐压和低开关损耗,使其在复杂和高要求的工业环境中能够长期稳定运行。
5. 消费电子:在消费电子产品中,如笔记本电脑、智能手机和家用电器中,STF2HNK60Z被用于高效的电源管理和负载开关。其小型封装和高效性能,帮助这些设备实现更长的电池寿命和更高的性能。
二、参数特点:
- 高耐压性:该器件具有600V的高耐压特性,适用于需要高电压操作的应用场景。这使其在高压环境下仍能稳定工作,不易击穿。
- 低导通电阻:STF2HNK60Z的导通电阻仅为2.5Ω,这显著降低了电流通过时的能量损耗,提高了整体效率,特别适用于高效能量转换系统。
- 快速开关速度:该MOSFET的开关速度非常快,能够在高频操作中表现出色,减少了开关损耗。其典型的开关时间在几十纳秒级别,适合高频率、高速的开关电路。
- 低栅极电荷:STF2HNK60Z具有较低的栅极电荷,这使得其在开关过程中所需的驱动能量较低,有助于降低系统的功耗和驱动电路的复杂性。
- 热稳定性好:该器件具有优良的热稳定性,能够在较宽的温度范围内工作。这使其适合在各种环境温度下使用,无论是极冷还是极热的条件,都能保持可靠的性能。
综上所述,STF2HNK60Z凭借其高耐压、低导通电阻、快速开关速度、低栅极电荷和良好的热稳定性,成为众多电子设备和系统中的理想选择。
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