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插件三极管STF26NM60N参数

PD最大耗散功率:35WID最大漏源电流:20AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:0.165ΩVRDS(ON)ld通态电流:10AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μAGfs(min)S跨导:SGfs(min)VDS漏源电压:VGfs(min)lo通态电流:A

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    STF26NM60N是一款常见的N沟道场效应晶体管(MOSFET),常用于各种电力电子应用中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 通信设备: STF26NM60N 可用于功率放大和开关控制,保护电源系统和信号传输线路免受电压冲击。

    2. 工业电子: 在各种工业控制系统和电力电子设备中,STF26NM60N 能够提供高效的功率开关和电压控制。

    3. 汽车电子: 用于电动汽车充电系统、电机驱动器和车载电子控制单元,STF26NM60N 能够稳定可靠地工作。

    4. 太阳能逆变器: 在太阳能发电系统中,STF26NM60N 用作逆变器的关键组件,实现太阳能电能的转换和控制。

    5. 电源系统: 作为开关管或功率 MOSFET,STF26NM60N 在各种电源系统中发挥重要作用,提供高效的能量转换和调节。

    二、参数特点:

    1. 低导通电阻(RDS(on)):STF26NM60N 具有低导通电阻,可以降低功率损耗,提高系统效率。

    2. 高耐压能力(VDS):STF26NM60N 能够在高压下稳定工作,保证系统的可靠性和安全性。

    3. 快速开关速度:STF26NM60N 具有快速的开关速度,有助于减少开关损耗,提高系统性能。

    4. 热特性:STF26NM60N 具有良好的散热性能,能够在高温环境下稳定工作。

    5. 可靠性:STF26NM60N 由知名半导体制造商生产,质量可靠,广泛应用于各种关键系统中。

    总的来说,STF26NM60N 作为一款性能稳定可靠的功率 MOSFET,广泛应用于各种电力电子领域,为系统的高效运行提供了重要支持。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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