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插件三极管STF25NM50N参数

PD最大耗散功率:40WID最大漏源电流:22AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:0.14ΩVRDS(ON)ld通态电流:11AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μAGfs(min)S跨导:19SGfs(min)VDS漏源电压:15VGfs(min)lo通态电流:11A

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    STF25NM50N是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于多种电子和电力设备中。以下将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):STF25NM50N常用于开关电源的主开关元件。其高电压和高效率的特性,使其能够在高频操作下高效切换,减少能量损耗,提升转换效率。

    2. 不间断电源(UPS):在不间断电源系统中,STF25NM50N可以作为逆变器中的关键组件,用于将直流电转换为交流电。其快速响应和低导通电阻特性,确保了电力的稳定输出。

    3. 电动机驱动:STF25NM50N还可以用于电动机驱动电路中,尤其是在高功率的电动机应用中。其高电流处理能力和低热阻特性,使其能够有效控制电动机的启动和停止。

    4. 照明控制:该器件还被用于高效照明系统中,如LED驱动电路。STF25NM50N的高效率转换能力,能够在提供足够亮度的同时减少能耗。

    5. 逆变器电路:STF25NM50N在太阳能和风能逆变器中扮演重要角色。它能有效地将直流电转换为交流电,并适应各种负载条件下的电压变化。

    二、参数特点:

    - 耐压性高:STF25NM50N的击穿电压为500V,这使其能够在高电压应用中保持稳定性,适用于各种高压环境。

    - 低导通电阻:其典型导通电阻为0.18Ω,这意味着STF25NM50N在导通状态下能够保持较低的功率损耗,提高系统效率。

    - 高开关速度:STF25NM50N的开关速度快,使其能够在高频率的应用中有效工作,减少开关损耗和电磁干扰。

    - 热阻低:该器件的热阻特性较低,确保了在高功率输出时的良好散热性能,避免过热问题,提高可靠性。

    - 封装类型:STF25NM50N采用TO-220封装,这种封装形式具有良好的散热特性,便于安装和散热设计。

    综上所述,STF25NM50N凭借其高耐压、低导通电阻、高开关速度和良好的热管理特性,被广泛应用于各种高性能电力电子设备中,为电路设计提供了可靠的解决方案。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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