PD最大耗散功率:30WID最大漏源电流:18AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:0.19ΩVRDS(ON)ld通态电流:9AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA
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一、应用场景:
1. 电源管理:STF24N60M2可用于开关电源、逆变器和稳压器等电源管理应用中。其低导通电阻和高开关速度使其成为电源系统中的理想选择,能够提高效率和响应速度。
2. 电机驱动:在电机控制系统中,STF24N60M2可用作驱动晶体管,实现高效能量转换和精确控制。其低开启电阻和高可靠性确保了电机系统的稳定性和性能。
3. 照明应用:在LED驱动和电子镇流器等照明应用中,STF24N60M2能够提供高效的功率转换和稳定的输出,帮助实现节能和长寿命的照明解决方案。
4. 电源适配器:作为开关管的一种,STF24N60M2可用于各种类型的电源适配器中,包括笔记本电脑充电器、手机充电器等,以提供高效的能量转换和紧凑的设计。
5. 电动车控制:在电动车的电动机控制系统中,STF24N60M2可以作为关键的功率开关元件,用于实现高效的电动车动力传输和精确的速度调节。
二、参数特点:
1. 低导通电阻(RDS(on)):STF24N60M2具有低的导通电阻,能够在开启状态下实现更低的功率损耗,提高系统效率。
2. 高耐压能力:该晶体管具有较高的耐压能力,能够在较高的电压下稳定工作,适用于各种电源和电机控制应用。
3. 快速开关速度:STF24N60M2具有快速的开关速度,有助于减少开关过程中的能量损耗和电压波动,提高系统的动态响应能力。
4. 可靠性:作为一款高质量的晶体管,STF24N60M2具有良好的可靠性和稳定性,能够在各种恶劣环境下长时间稳定工作。
5. 温度特性:其温度特性良好,能够在广泛的工作温度范围内保持稳定的性能,适用于各种工业和汽车电子应用。
总的来说,STF24N60M2作为一款性能优异的N沟道MOSFET,适用于多种应用场景,具有低导通电阻、高耐压能力、快速开关速度和良好的可靠性等特点,是电源管理和功率控制领域的理想选择。
工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
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