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插件三极管STF24N60M2参数

PD最大耗散功率:30WID最大漏源电流:18AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:0.19ΩVRDS(ON)ld通态电流:9AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μAGfs(min)S跨导:SGfs(min)VDS漏源电压:VGfs(min)lo通态电流:A

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    STF24N60M2是一款N沟道场效应晶体管(MOSFET),常见于各种电源和电子设备中。它的应用场景广泛,具有以下参数特点:

    一、应用场景:

    1. 通信设备: STF24N60M2 在通信设备中用于功率放大和开关控制电路,确保设备的稳定工作。

    2. 电源转换器:在各种类型的电源转换器中,STF24N60M2 被广泛应用于高功率开关电路,以实现高效率的能量转换。

    3. 电机驱动器:STF24N60M2 可以用作电机驱动器中的开关元件,控制电机的启停和转速。

    4. 工业自动化:在工业控制系统中,STF24N60M2 可以用于控制和调节各种类型的电气设备。

    5. 汽车电子:在汽车电子系统中,STF24N60M2 用于电动汽车的功率控制和电池管理系统。

    二、参数特点:

    1. 高功率特性: STF24N60M2 具有较高的功率承受能力,适用于需要处理大电流的电路。

    2. 低导通电阻:该器件具有低导通电阻,有助于减少功率损耗和提高效率。

    3. 快速开关特性:STF24N60M2 具有快速的开关速度,有助于减少开关过程中的能量损耗,并提高系统的响应速度。

    4. 耐压能力强:STF24N60M2 具有良好的耐压特性,能够承受较高的电压而不损坏。

    5. 可靠性高:该器件经过严格的质量控制和测试,具有高可靠性和稳定性,适用于长时间稳定运行的要求。

    综上所述,STF24N60M2作为一款性能稳定、可靠性高的N沟道MOSFET,适用于各种需要高功率、低导通电阻和快速开关特性的电子电路中。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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