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MOS管STF24N60DM2参数

PD最大耗散功率:30WID最大漏源电流:18AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:0.2ΩVRDS(ON)ld通态电流:9AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STF24N60DM2是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电力电子设备中。其应用场景包括但不限于以下几个方面:

    一、应用场景:

    1. 开关电源:在开关电源中,STF24N60DM2由于其低导通电阻和高击穿电压,非常适合用于高效能的DC-DC转换器和AC-DC转换器中。这款MOSFET可以有效减少能量损耗,提高电源转换效率。

    2. 电动工具:STF24N60DM2也被用于电动工具中,尤其是在需要高电流和高电压操作的环境下。其强大的负载能力和高可靠性,使其能够应对电动工具的高强度使用需求。

    3. 电机驱动:在电机驱动控制电路中,STF24N60DM2凭借其快速开关特性和高耐压能力,能够高效驱动电机,确保电机运行的稳定性和高效性。

    4. 照明设备:在LED照明和HID灯中,STF24N60DM2常被用作驱动元件,其高效的电流控制能力有助于提高照明设备的能效和寿命。

    5. 光伏逆变器:在光伏逆变器应用中,STF24N60DM2可以有效处理逆变器的高电压和高电流需求,提高光伏系统的整体效率。

    二、参数特点:

    - 最大漏源电压(Vds):600V。这使得STF24N60DM2能够在高压应用中使用,提供足够的电压裕度。

    - 导通电阻(Rds(on):最大值为0.175Ω。较低的导通电阻意味着在电流通过时,损耗较小,提高了整个系统的效率。

    - 漏极电流(Id):24A。这个参数表明了STF24N60DM2可以承受的最大连续电流,使其在大电流应用中表现优异。

    - 结温(Tj):最高可达175°C。高结温特性确保了STF24N60DM2在高温环境中的可靠性和稳定性。

    - 栅极电荷(Qg):典型值为85nC。较低的栅极电荷使得STF24N60DM2能够快速开关,适用于高频率的开关应用。

    - 封装形式:TO-220FP。这种封装形式不仅提供了良好的散热性能,还便于安装和使用。

    通过以上分析可以看出,STF24N60DM2凭借其高电压、高电流和低导通电阻等优异参数特点,在多个领域中具有广泛的应用前景。其高效能和可靠性使其成为各种高要求电力电子设备中的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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