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插件三极管STF21NM60N参数

PD最大耗散功率:30WID最大漏源电流:17AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:0.24ΩVRDS(ON)ld通态电流:8.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μAGfs(min)S跨导:12SGfs(min)VDS漏源电压:15VGfs(min)lo通态电流:8A

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    STF21NM60N是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备和电力管理系统。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:STF21NM60N常用于开关电源、DC-DC转换器和电池管理系统中,能够高效地控制电流和电压转换,确保系统的稳定运行。

    2. 电机驱动:在电动工具和家用电器中,STF21NM60N用于驱动电机,具有快速开关速度和低导通电阻,能够提高电机的效率和可靠性。

    3. 工业控制:工业自动化设备需要高可靠性的功率元件,STF21NM60N由于其优异的性能,常用于PLC、机器人和自动化生产线的控制模块中。

    4. 光伏逆变器:在太阳能光伏系统中,STF21NM60N用于逆变器电路,能够有效地转换直流电为交流电,提升能源转换效率。

    5. 音频放大器:在音频设备中,STF21NM60N用于放大电路,能够提供高质量的音频输出,减少失真和噪声。

    二、参数特点:

    - 最大漏源电压(V_DS):600V。该高电压等级使得STF21NM60N适用于高压应用,如电源管理和工业控制。

    - 最大漏极电流(I_D):21A。在适当的散热条件下,STF21NM60N能够处理较大的电流,适用于大功率电机驱动和光伏逆变器。

    - 导通电阻(R_DS(on):0.19Ω(最大值)。低导通电阻意味着在开通状态下,STF21NM60N具有较低的功率损耗,提升了整体系统效率。

    - 栅极电荷(Q_g):89nC(典型值)。较低的栅极电荷使得STF21NM60N具有快速的开关速度,适合高频应用。

    - 工作温度范围:-55°C至150°C。宽广的工作温度范围使得STF21NM60N能够在各种严苛环境下稳定运行。

    综上所述,STF21NM60N在各种应用场景中的重要性,以及其卓越的参数特点。无论是在电源管理、电机驱动还是工业控制中,STF21NM60N都能够发挥关键作用,确保设备的高效和可靠运行。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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