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插件三极管STF18NM60N参数

PD最大耗散功率:30WID最大漏源电流:13AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:0.285ΩVRDS(ON)ld通态电流:6.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μAGfs(min)S跨导:SGfs(min)VDS漏源电压:VGfs(min)lo通态电流:A

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    STF18NM60N是一款常用于高效能电源转换和功率控制领域的N沟道功率MOSFET。由于其高耐压和低导通电阻的特点,它在多种应用场景中表现优异。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):STF18NM60N被广泛用于主开关器件。它的低栅极电荷和快速开关速度能够提高转换效率,减少功耗。

    2. 电机控制:在电动工具、电动车和工业自动化设备中,STF18NM60N可用作电机驱动器件,提供高效、稳定的电流控制。

    3. 不间断电源(UPS):在UPS系统中,STF18NM60N可以实现高效的能量转换和稳压,确保在电源中断时提供稳定的电力输出。

    4. 太阳能逆变器:在太阳能发电系统中,STF18NM60N用于逆变器部分,能够有效处理直流到交流的转换过程,提升系统效率。

    5. 照明控制系统:在现代照明系统中,特别是LED照明驱动中,STF18NM60N作为开关器件,能够实现高效的电能转换和精确的亮度控制。

    二、参数特点:

    - 高耐压能力:该MOSFET的漏源极电压(VDS)最大值为600V,使其适用于高电压环境中的应用,如电源和工业设备。

    - 低导通电阻:其典型导通电阻(RDS(on))在最大电流下为0.23Ω,这有助于减少导通损耗,提高整体效率。

    - 大电流处理能力:STF18NM60N能够处理高达18A的连续漏极电流,这使其在需要处理大电流的应用中表现出色。

    - 低栅极电荷:该器件的总栅极电荷(Qg)仅为55nC,有利于降低驱动功耗和提升开关速度。

    - 良好的热性能:STF18NM60N的热阻(RθJA)较低,支持更高的功率密度和更长的器件寿命。

    综上所述,STF18NM60N凭借其优异的电气特性和可靠的性能,在高效电力转换和控制领域有着广泛的应用前景。其在多种工业和消费电子产品中的使用,体现了其在高性能和高可靠性方面的显著优势。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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