PD最大耗散功率:90WID最大漏源电流:11AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:0.36ΩVRDS(ON)ld通态电流:5.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μAGfs(min)S跨导:SGfs(min)VDS漏源电压:VGfs(min)lo通态电流:A
立即咨询一、应用场景:
1. 通信设备:STF13NM60N在通信设备中用于电源管理和信号开关。例如,在无线基站的电源转换器和数据传输系统中,它能够提供高效能的功率控制和快速开关功能。
2. 汽车电子:在汽车电子系统中,STF13NM60N被广泛应用于电动汽车控制器、发动机控制单元(ECU)和车载充电系统中,实现高效的电能转换和驱动控制。
3. 工业控制:在工业自动化控制系统中,STF13NM60N被用作开关电源和电机驱动器,帮助实现精确的电能管理和设备控制。
4. 电源转换器:在各种类型的电源转换器中,如开关模式电源和离线电源,STF13NM60N能够提供高效的能量转换和稳定的电压输出。
5. LED 照明:在 LED 照明系统中,STF13NM60N被用作驱动器和功率调节器,帮助实现 LED 光源的高效能驱动和亮度控制。
二、参数特点:
1. 低导通电阻:STF13NM60N具有较低的导通电阻,能够减少功率损耗和发热,提高电路效率。
2. 高耐压能力:这款 MOSFET 具有优秀的耐压特性,能够承受较高的电压而不损坏,适用于高压电路。
3. 快速开关特性:STF13NM60N具有快速的开关速度,能够迅速切换导通和截止状态,实现高频率的电路操作。
4. 优良的温度特性:它能够在广泛的温度范围内稳定工作,适用于各种环境条件下的应用。
5. 可靠性稳定性:STF13NM60N经过严格的质量控制和可靠性测试,长时间稳定运行,减少维护成本。
综上所述,STF13NM60N具有低导通电阻、高耐压、快速开关、优良的温度特性以及可靠性稳定性等特点,适用于各种电源管理和开关电路中,是一款性能优异的 MOSFET 器件。
工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
电话:13534146615
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