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插件三极管STF11NM80参数

PD最大耗散功率:35WID最大漏源电流:11AV(BR)DSS漏源击穿电压:800VRDS(ON)Ω内阻:0.4ΩVRDS(ON)ld通态电流:5.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μAGfs(min)S跨导:8SGfs(min)VDS漏源电压:10VGfs(min)lo通态电流:7.5A

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    STF11NM80是一种高电压N沟道功率MOSFET,广泛应用于电力电子和工业控制领域。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:STF11NM80常用于开关电源中的主开关元件。其高耐压能力(800V)使其适合在高压输入条件下工作,如AC-DC转换器中的高压桥路。由于其低栅极电荷和快速开关速度,这种器件能有效提高开关电源的效率,减少功率损耗。

    2. 照明控制:在LED驱动器和高压荧光灯镇流器中,STF11NM80常作为开关元件使用。其出色的击穿电压和低导通电阻特点,使其能够稳定控制电流,从而提升系统的可靠性和寿命。

    3. 电机驱动:在高压电机驱动电路中,STF11NM80作为逆变器的主要开关元件,能够承受高电压并提供足够的电流驱动电机。其快速开关特性有助于提高电机控制的精度和效率。

    4. 工业自动化设备:STF11NM80适用于工业自动化控制设备中的电源管理模块,如可编程逻辑控制器(PLC)和变频器。这些设备需要在高电压环境中可靠运行,STF11NM80的高电压耐受能力和低损耗使其成为理想选择。

    5. 太阳能逆变器:在太阳能光伏系统中,STF11NM80被用作逆变器中的高压开关元件。其高击穿电压能力和高效能特性,使其能够有效地处理来自太阳能电池板的高压直流电,并转换为交流电供给电网。

    二、参数特点:

    - 高击穿电压:STF11NM80的最大漏源击穿电压为800V,能够在高压环境中可靠工作,适用于各种高压应用。

    - 低导通电阻:其典型导通电阻仅为1.1Ω(VGS = 10V时),这有助于降低导通损耗,提高整体电路效率。

    - 快速开关速度:STF11NM80具有低栅极电荷(Qg),使其能够实现快速的开关速度。这对于高频开关电路至关重要,有助于减少开关损耗。

    - 高热稳定性:其设计能够在较高的结温下稳定运行,具备良好的热稳定性,适合在恶劣的工业环境中使用。

    - 封装和散热:STF11NM80通常采用TO-220封装,具有良好的散热性能,方便安装和散热管理,确保在高功率应用中的稳定性。

    综上所述,STF11NM80的这些特点使其在需要高效、高可靠性的电力电子应用中表现出色。其高击穿电压和低导通电阻的组合,使其成为各类高压开关应用的理想选择,同时确保了设备的长寿命和高效能。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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