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插件三极管STF10NM60N参数

PD最大耗散功率:70WID最大漏源电流:10AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:0.55ΩVRDS(ON)ld通态电流:4AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μAGfs(min)S跨导:SGfs(min)VDS漏源电压:15VGfs(min)lo通态电流:A

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    STF10NM60N是一款常用于各种电子设备的N沟道功率MOSFET,其具有高效能和低损耗的特点。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):在开关电源中,STF10NM60N常用于功率开关部分,负责高频率的电能转换。其高耐压特性使其能够承受大范围的电压变化,同时其低导通电阻减少了能量损失,提高了转换效率。

    2. 电机控制:在电机控制电路中,STF10NM60N被用作开关元件,帮助调节电机的速度和方向。其快速的开关速度和低栅极电荷使其能够精确地控制电机的运行状态,适用于各种工业自动化设备。

    3. 光伏逆变器:在光伏系统中,STF10NM60N作为逆变器的核心元件之一,用于将直流电转换为交流电。其高耐压和低损耗特性,使其能够有效处理太阳能电池板产生的高电压,并且能够在长时间运行中保持高效能。

    4. 不间断电源(UPS):STF10NM60N也广泛应用于不间断电源系统中,主要用于电池的充放电控制及输出电流的调节。它的高可靠性和高效能保证了UPS在紧急情况下的稳定运行。

    5. 音频放大器:在高端音频放大器中,STF10NM60N常用于输出级的功率放大器部分。其低噪声和高线性度特性,有助于提升音频信号的质量和放大器的整体表现。

    二、参数特点:

    - 耐压(Vds):600V。STF10NM60N的高耐压使其适合处理高压应用,减少了元件在高压环境下的损坏风险。

    - 最大漏极电流(Id):10A。该器件能够处理高达10安培的电流,这使其在高功率应用中表现出色。

    - 导通电阻(Rds(on)):< 1Ω(典型值)。STF10NM60N低导通电阻的设计,有效降低了电能的损耗,提升了系统的效率。

    - 栅极电荷(Qg):相对较低。低栅极电荷使STF10NM60N能够快速切换,减少了开关损耗,提高了开关效率。

    - 工作温度范围:-55°C 至 150°C。STF10NM60N能够在宽温度范围内稳定工作,适应多种恶劣的工作环境。

    综上所述,STF10NM60N是一款高性能的N沟道功率MOSFET,适用于多种环境,从开关电源到音频放大器。其卓越的电压处理能力和高效的电流控制特性使其成为电子设备中的关键元件。无论是在要求高耐压的应用中,还是在对低损耗有严格要求的场合,STF10NM60N都能提供优异的性能,确保系统的稳定性和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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