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MOS管STF10N62K3参数

PD最大耗散功率:30WID最大漏源电流:8.4AV(BR)DSS漏源击穿电压:620VRDS(ON)Ω内阻:0.75ΩVRDS(ON)ld通态电流:4AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~4.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:100μA

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    STF10N62K3是一款高性能的N沟道MOSFET,广泛应用于各种电子电路中,尤其是在电源管理和电机控制领域。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):在开关电源中,STF10N62K3因其高效的开关特性和低导通电阻而被广泛使用。它能够在高频开关下工作,从而提高电源的转换效率,减少功耗,适合用于计算机、通信设备和家用电器中的电源模块。

    2. 电机驱动:由于其优良的导通性能和快速开关速度,STF10N62K3常用于直流电机和无刷电机的驱动电路中。它能有效降低驱动电路的发热,提升系统的可靠性和效率。

    3. 不间断电源(UPS):在UPS系统中,STF10N62K3作为逆变器的核心开关元件,能够提供稳定、高效的电源转换,确保设备在电源中断时仍能正常运行。

    4. 太阳能逆变器:在太阳能发电系统中,STF10N62K3可以用于太阳能逆变器,实现直流到交流电的高效转换,提升整个系统的能源利用率。

    5. 电动汽车充电器:在电动汽车充电设备中,STF10N62K3能够高效地控制充电电流和电压,确保充电过程的安全性和高效性。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):STF10N62K3的导通电阻非常低,通常在几毫欧姆范围内,这使得它在导通状态下具有极低的功耗,有利于提升系统的整体效率。

    - 高击穿电压(VDS):该器件的击穿电压高达620V,使其能够在高电压环境下稳定工作,适用于需要高耐压的应用场景。

    - 快速开关速度:STF10N62K3具有极快的开关速度,能够在高频开关电路中实现高效的能量转换,减少电路中的开关损耗。

    - 低栅极电荷(Qg):低栅极电荷使得STF10N62K3能够以较低的驱动电流实现快速开关,有效降低驱动电路的复杂性和功耗。

    - 热性能优越:STF10N62K3具备良好的热性能,能够在高温环境下稳定工作,并且其热阻低,有助于散热管理,延长器件寿命。

    综上所述,STF10N62K3凭借其卓越的电气性能和广泛的应用场景,成为电源管理、电机控制等领域中的理想选择。在选择STF10N62K3时,应根据具体应用需求,充分利用其低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度等优点,实现最佳的电路设计和性能优化。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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