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场效应MOS管STD9N60M2参数

PD最大耗散功率:60WID最大漏源电流:5.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:25VRDS(ON)Ω内阻:0.78ΩVRDS(ON)ld通态电流:3AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STD9N60M2是一种高效能的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备和电路中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:STD9N60M2常用于开关电源、DC-DC转换器等电源管理系统中。由于其具有高电流承载能力和低导通电阻,能够有效提高电源转换效率,减少能量损耗。

    2. 电机驱动器:在各种电机控制系统中,STD9N60M2可用作开关元件,控制电机的启停和速度调节。其快速开关特性和高耐压能力使其非常适合高效能的电机驱动应用。

    3. 不间断电源(UPS):STD9N60M2在UPS系统中发挥关键作用,负责电池的充放电管理以及逆变器的控制,确保在电源中断时提供稳定的电力供应。

    4. 太阳能逆变器:在太阳能发电系统中,STD9N60M2常用于太阳能逆变器中,用于将直流电转换为交流电,并提高转换效率,确保稳定的电力输出。

    5. 工业自动化设备:STD9N60M2也广泛应用于工业自动化控制系统中,如PLC(可编程逻辑控制器)、机器人控制器等,提供高效、可靠的开关控制。

    二、参数特点:

    - 高耐压性:STD9N60M2的漏源极耐压高达600V,这使得它在高压应用场景中能够可靠运行,防止电压过高造成的元器件损坏。

    - 低导通电阻:其典型导通电阻为0.85欧姆(最大值为1.0欧姆),低导通电阻可以减少导通损耗,提高整体电路的效率。

    - 高电流能力:STD9N60M2的连续漏极电流为9A,脉冲漏极电流可达36A,能够承载较大的电流负荷,适用于大功率应用。

    - 快速开关速度:STD9N60M2具有快速的开关特性,其开关速度快,能够在纳秒级别完成开关操作,有效减少开关损耗,提高系统效率。

    - 良好的热性能:STD9N60M2具有优异的热性能,其热阻(结到壳体)为0.58°C/W,这意味着它在高功率应用中能够有效散热,维持较低的结温,确保长时间稳定工作。

    综上所述,STD9N60M2以其高耐压性、低导通电阻、高电流能力、快速开关速度和良好的热性能,在电源管理、电机驱动、UPS、太阳能逆变器和工业自动化等多个领域中得到了广泛应用。其优异的性能参数确保了设备的高效、可靠和稳定运行。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
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