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场效应MOS管STD86N3LH5参数

PD最大耗散功率:70WID最大漏源电流:80AV(BR)DSS漏源击穿电压:30VRDS(ON)Ω内阻:0.005ΩVRDS(ON)ld通态电流:40AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~2.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STD86N3LH5是一种常见的N沟道功率MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),其应用场景广泛,具有多个显著的参数特点。以下将分别详细介绍STD86N3LH5的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:STD86N3LH5在电源管理系统中广泛应用,如DC-DC转换器和电池管理系统。其高效的电流处理能力和低导通电阻,使得它能够在高电流环境下有效工作,确保电能转换的效率和稳定性。

    2. 电动工具和家用电器:在电动工具和家用电器中,STD86N3LH5常用于电机驱动电路。这是因为它能够提供高瞬态电流能力,满足电动工具和家电在启动时的大电流需求,从而提高设备的性能和可靠性。

    3. 汽车电子:STD86N3LH5在汽车电子中用于各种控制模块,如发动机控制单元(ECU)和车身控制模块(BCM)。其耐高压和高温的特性,使其能够在汽车的苛刻环境下稳定工作,提升汽车电子系统的耐用性和安全性。

    4. 消费电子:智能手机、平板电脑等消费电子设备也采用了STD86N3LH5,主要用于电源管理和充电电路。其小型封装和高效能使其成为这些高集成度设备的理想选择,能够有效降低功耗,延长电池寿命。

    5. 工业控制:在工业控制系统中,STD86N3LH5用于驱动各种工业设备和执行器。其高可靠性和高开关速度,可以确保工业自动化系统的精确控制和高效运行。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):STD86N3LH5的导通电阻非常低,这意味着在导通状态下,它的功率损耗较小,从而提高了整体系统的效率。在高电流应用中,低导通电阻显得尤为重要。

    - 高电流处理能力:STD86N3LH5具备高达80A的最大连续漏极电流能力,适合于需要高电流驱动的应用场合。其强大的电流处理能力,确保了在高负载下仍能稳定工作。

    - 耐高压特性:STD86N3LH5的漏源极击穿电压(BVDSS)高达60V,能够应对较高电压环境下的应用需求。此特性使其在一些高压电源和汽车电子系统中得到广泛应用。

    - 快速开关速度:得益于其MOSFET结构,STD86N3LH5具有极快的开关速度。这一特点使其在高频率的开关电源和脉冲应用中表现出色,能够有效减少开关损耗,提升系统效率。

    - 热稳定性:STD86N3LH5具有优良的热性能,能够在高温环境下保持稳定的电气特性。其较高的结温(Tj)范围,确保了在恶劣的工作条件下,器件仍能可靠工作,不易因过热而损坏。

    综上所述,STD86N3LH5作为一种高性能的N沟道功率MOSFET,凭借其低导通电阻、高电流处理能力、耐高压特性、快速开关速度和优良的热稳定性,广泛应用于电源管理系统、电动工具、家用电器、汽车电子、消费电子和工业控制等领域。在这些应用中,STD86N3LH5通过提供高效、可靠的性能,提升了整体系统的效率和稳定性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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