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场效应MOS管STD7NK30Z参数

PD最大耗散功率:50WID最大漏源电流:5AV(BR)DSS漏源击穿电压:300VRDS(ON)Ω内阻:0.9ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~4.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:50μA

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    STD7NK30Z是一款N沟道MOSFET,广泛应用于各种电子设备和电路设计中。以下是关于STD7NK30Z的应用场景和参数特点的详细描述。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:STD7NK30Z常用于电源管理电路中,例如开关电源(SMPS)和DC-DC转换器。在这些应用中,STD7NK30Z作为开关元件,能够有效地控制电能的转换和分配,提高系统的效率和稳定性。

    2. 电机驱动:在电机控制和驱动电路中,STD7NK30Z由于其低导通电阻和高电流处理能力,能够提供稳定的电流输出,从而确保电机的平稳运行。这使得STD7NK30Z在工业自动化和家用电器中得到了广泛应用。

    3. 负载开关:STD7NK30Z还被广泛应用于各种负载开关电路中。它可以通过控制电流的通断来管理负载设备的工作状态,从而实现节能和保护电路的功能。

    4. 电池保护电路:在电池管理系统中,STD7NK30Z可用于保护电池免受过充电、过放电和短路等情况的影响。其快速的开关特性和高耐压能力,确保了电池的安全性和长寿命。

    5. 音频放大器:STD7NK30Z也可用于音频放大器电路中,其高开关速度和低噪声特性,能够提供高品质的音频输出。因此,在高保真音响设备中,STD7NK30Z是一种理想的选择。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(R_DS(on)):STD7NK30Z的典型导通电阻非常低,仅为0.085欧姆。这意味着在相同电流下,它产生的功耗较低,从而减少了热量的产生,提高了整体电路的效率。

    - 高击穿电压(V_DS):STD7NK30Z的最大击穿电压为100V,这使得它能够在高压应用场景中稳定工作,适用于需要高耐压特性的电路设计。

    - 大电流处理能力(I_D):STD7NK30Z的最大连续漏极电流为7A,脉冲电流更高。这一特性使得它能够处理较大的电流负载,适用于高功率应用。

    - 快速开关速度:STD7NK30Z具有快速的开关特性,开关时间短,能够在高频应用中表现出色。这对于需要快速响应的电路,如脉冲电路和高频开关电源,具有重要意义。

    - 热性能优良:STD7NK30Z在设计上考虑了热性能优化,具有较低的热阻(R_thJC),能够更有效地散热,保持器件在高负载下的稳定运行。这提高了电路的可靠性和寿命。

    综上所述,STD7NK30Z凭借其优越的电气性能和广泛的应用场景,在现代电子电路设计中扮演着重要角色。无论是电源管理、电机驱动、负载开关,还是电池保护和音频放大,STD7NK30Z都能够提供可靠的解决方案。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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