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场效应MOS管STD7NB20参数

PD最大耗散功率:55WID最大漏源电流:7AV(BR)DSS漏源击穿电压:200VRDS(ON)Ω内阻:0.4ΩVRDS(ON)ld通态电流:3.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STD7NB20是一款高性能的功率MOSFET,广泛应用于各类电源管理和控制系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:STD7NB20广泛应用于电源管理系统中。由于其低导通电阻和高效率,STD7NB20在转换器和稳压器中能有效地减少能量损失,提高系统的整体效率,适用于高效电源管理模块。

    2. 汽车电子:在汽车电子领域,STD7NB20被用于控制单元和传感器模块。它的高耐压特性和可靠的性能使其成为汽车电子设备中可靠的元件,确保车辆在各种运行条件下的稳定性和安全性。

    3. 工业控制:在工业自动化控制系统中,STD7NB20用于驱动电机和控制继电器。它的高电流能力和低开关损耗特性,使其在需要频繁开关操作的工业控制应用中表现出色。

    4. 通信设备:STD7NB20在通信设备中的应用也很广泛,如路由器和基站的电源管理模块。其高频开关能力和稳定的工作性能,确保了通信设备的稳定运行。

    5. 消费电子:在消费电子产品中,STD7NB20用于电池管理系统和智能设备的电源控制。其低功耗和高效能特点,延长了设备的电池寿命,提升了用户体验。

    二、参数特点:

    - 导通电阻低:STD7NB20具有极低的导通电阻(RDS(on)),这意味着在导通状态下,它能有效减少电能损耗,提高系统效率。具体来说,STD7NB20的导通电阻典型值为20毫欧姆(mΩ)。

    - 高耐压能力:STD7NB20具有较高的漏源极耐压(VDSS),可达60V。这使得它能在高压环境下稳定工作,适用于需要高耐压的应用场合。

    - 高电流能力:STD7NB20的连续漏极电流(ID)可达7A,瞬态电流更高。这使得它能处理较大的电流负载,适用于高电流应用。

    - 开关速度快:STD7NB20具有快速的开关速度,这使其在高频开关应用中表现优异。其典型的开关时间为10纳秒(ns)左右,确保了高效的开关操作。

    - 封装形式:STD7NB20采用标准的DPAK封装形式,这种封装形式具有良好的散热性能和较小的占板面积,便于电路板的设计和散热管理。

    综上所述,STD7NB20凭借其低导通电阻、高耐压、高电流能力和快速开关速度等优越特性,广泛应用于电源管理系统、汽车电子、工业控制、通信设备和消费电子等多个领域,成为各类高效电源管理和控制系统中不可或缺的重要器件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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