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场效应MOS管STD70N6F3参数

PD最大耗散功率:110WID最大漏源电流:70AV(BR)DSS漏源击穿电压:60VRDS(ON)Ω内阻:0.0105ΩVRDS(ON)ld通态电流:35AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STD70N6F3是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备和电力系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:STD70N6F3常用于电源管理系统中,特别是在开关电源和DC-DC转换器中。这些应用中需要高效的电能转换和管理,而STD70N6F3的低导通电阻和高开关速度能够显著提升系统的效率。

    2. 电动工具:在电动工具如电钻、电锯等设备中,STD70N6F3作为开关元件,能够承受高电流和高电压。其坚固的设计和高可靠性使得它在这些要求苛刻的应用中表现出色。

    3. 电机控制:STD70N6F3广泛应用于电机驱动和控制电路中。由于其快速的开关性能和良好的热性能,它能够有效控制电机的速度和方向,适用于各种工业和消费类电机应用。

    4. 汽车电子:在汽车电子系统中,STD70N6F3用于发动机控制单元(ECU)、电动助力转向系统和其他需要高效电力转换和分配的子系统。其耐高温和高可靠性的特点非常适合汽车严苛的工作环境。

    5. 太阳能系统:在太阳能逆变器和充电控制器中,STD70N6F3起到关键作用。其高效的能量转换能力帮助提升太阳能系统的整体效率,从而优化能源利用。

    二、参数特点:

    - 导通电阻(RDS(on)):STD70N6F3具有极低的导通电阻,典型值为40毫欧姆,这意味着在导通状态下,损耗较小,有助于提高整体电路效率。

    - 漏源电压(VDSS):STD70N6F3的漏源电压高达60V,使其能够在较高电压下稳定工作,适用于多种高电压应用场合。

    - 额定电流(ID):STD70N6F3的连续漏极电流可达70A,这使得它在高电流应用中具有极高的可靠性和稳定性。

    - 栅极电荷(Qg):STD70N6F3的栅极电荷较低,典型值为70nC,这意味着它在开关时所需的能量较少,从而能够实现快速的开关速度,提高整体系统性能。

    - 热阻(RthJC):STD70N6F3的结-壳热阻仅为1.5°C/W,具备良好的热性能,能够有效散热,确保在高功率应用中长时间稳定运行。

    通过上述介绍可以看出,STD70N6F3凭借其出色的电气性能和可靠性,广泛应用于各类需要高效电力转换和管理的电子设备中。无论是在电源管理、电动工具、电机控制、汽车电子还是太阳能系统中,STD70N6F3都能发挥其独特的优势,提供高效、可靠的解决方案。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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