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场效应MOS管STD2NC50参数

PD最大耗散功率:45WID最大漏源电流:2.2AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:4ΩVRDS(ON)ld通态电流:1.4AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STD2NC50是一种N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子电路中。本文将详细介绍STD2NC50的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:STD2NC50常用于电源管理电路中,如开关电源、DC-DC转换器等。它能够高效地转换电能,降低功耗,提高系统效率。

    2. 电机控制:在电机驱动和控制电路中,STD2NC50由于其高开关速度和低导通电阻,能够提供精确的控制和高效的功率传输,适用于电动工具、电动车等领域。

    3. 照明系统:STD2NC50在LED驱动电路中发挥重要作用。它可以调节电流,保护LED免受过电流损害,从而延长LED的使用寿命,广泛应用于各种LED照明设备中。

    4. 音频放大器:在音频功率放大器中,STD2NC50用于提升放大器的输出功率和效率。其高频特性使其能够在高保真音频应用中表现出色,保证音质的纯净和清晰。

    5. 通信设备:在通信设备中,STD2NC50被用于射频功率放大和信号处理。它能提供稳定的功率输出和快速的响应速度,确保通信信号的传输质量和稳定性。

    二、参数特点:

    - 最大漏源电压 (Vds):STD2NC50的最大漏源电压为500V。这意味着它能够在高电压条件下工作,适用于需要处理高电压的应用场景。

    - 最大漏极电流 (Id):STD2NC50的最大漏极电流为2A。在这个电流范围内,器件能够稳定工作,适合中等功率的应用。

    - 导通电阻 (Rds(on)):STD2NC50的典型导通电阻为6.5Ω。这一参数在选择MOSFET时尤为重要,因为低导通电阻可以减少功耗,提高效率。

    - 栅极电荷 (Qg):STD2NC50的总栅极电荷为15nC。较低的栅极电荷意味着较快的开关速度,能够在高频应用中表现优异。

    - 功耗 (Ptot):STD2NC50的最大功耗为45W。这一参数决定了MOSFET在散热条件良好的情况下能够处理的最大功率。

    综上所述,STD2NC50以其高电压、高电流、高效率等特点,广泛应用于电源管理、电机控制、照明系统、音频放大器和通信设备等多个领域。其优异的性能参数确保了其在各类应用中的稳定性和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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