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场效应MOS管STD2NB52参数

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    STD2NB52是一种 N 沟道功率 MOSFET,广泛应用于各种电子电路和设备中。以下将详细介绍STD2NB52的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):STD2NB52常用于开关电源的设计中,特别是在低压侧开关应用中。其低导通电阻和高电流承载能力使其在提高转换效率和降低热损耗方面表现出色。

    2. 电机驱动:在直流电机控制和驱动电路中,STD2NB52被用作电机驱动开关元件。其快速开关特性和高效能量传输能力使其能够在高频率下稳定运行,确保电机的平稳和精确控制。

    3. 电池管理系统:STD2NB52也常用于电池管理系统(BMS)中,用于控制充放电过程。其低漏电流和高耐压特性确保电池组的安全和高效运行。

    4. 电源管理模块(PMM):在电源管理模块中,STD2NB52被广泛应用于稳压器、降压转换器和升压转换器等电路中。其低门极电荷和高转换效率使其成为电源管理电路中的理想选择。

    5. 音频放大器:在音频功率放大器中,STD2NB52被用作功率开关元件,其高线性度和低失真特性能够提供优质的音频输出。

    二、参数特点:

    - 导通电阻(Rds(on)):STD2NB52的导通电阻非常低,在10V门极驱动电压下为0.06欧姆。这一特性减少了在高电流情况下的功率损耗,提高了效率。

    - 击穿电压(Vdss):STD2NB52的击穿电压为100V,使其能够在较高电压下稳定工作,适用于宽范围的电源应用。

    - 漏源极电流(Id):在25°C环境温度下,STD2NB52的最大连续漏源极电流为2A,能够承受较大的电流负载,适用于高功率应用。

    - 门极电荷(Qg):STD2NB52的总门极电荷为5.2nC,这意味着其具有快速开关特性,有助于提高开关电源的转换效率和降低EMI。

    - 热阻(Rthj-c):STD2NB52的结到壳的热阻为62.5°C/W,能够有效散热,确保器件在高功率应用中的可靠性和稳定性。

    综上所述,STD2NB52作为一种高性能 N 沟道功率 MOSFET,凭借其出色的电气参数和广泛的应用场景,成为了现代电子电路设计中不可或缺的核心器件。无论是在开关电源、电机驱动还是电池管理系统中,STD2NB52都能够提供优异的性能和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
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