收藏壹芯微 | 在线留言| 网站地图

您好!欢迎光临壹芯微科技品牌官网

壹芯微

深圳市壹芯微科技有限公司二极管·三极管·MOS管·桥堆

全国服务热线:13534146615

壹芯微二极管
首页 » 壹芯微产品中心 » 三极管 » 场效应管 » 场效应MOS管STD2NB25参数

场效应MOS管STD2NB25参数

PD最大耗散功率:40WID最大漏源电流:2AV(BR)DSS漏源击穿电压:250VRDS(ON)Ω内阻:2ΩVRDS(ON)ld通态电流:1AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

立即咨询


    STD2NB25是一种N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子和电气设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:STD2NB25常用于开关电源的主开关管。其低导通电阻和快速开关特性使其在高效能和高频率的开关电源中表现出色。

    2. 电机驱动:在直流电机和步进电机的驱动电路中,STD2NB25因其高电流处理能力和低损耗特性,被广泛用作驱动开关。

    3. 电池管理系统:STD2NB25在电池管理系统中用于电池的充放电控制,其稳定性和高效能使其适用于电动汽车和储能系统。

    4. 负载开关:用于控制大功率负载的开关电路中,STD2NB25的低导通电阻和高可靠性使其成为理想选择。

    5. LED照明:在LED驱动电路中,STD2NB25被用来调节电流,以确保LED灯的稳定工作和高效能。

    二、参数特点:

    - 导通电阻(RDS(on)):STD2NB25具有极低的导通电阻,这意味着它在导通状态下的功率损耗非常低,有助于提高整个系统的效率。

    - 漏源电压(VDS):STD2NB25的最大漏源电压为250V,这使其能够在高压环境中安全工作。

    - 电流处理能力(ID):其最大连续漏极电流为2A,适合中小功率的应用场景。

    - 门极电荷(Qg):STD2NB25的门极电荷较低,这使得它可以快速开关,适用于高频应用场景。

    - 工作温度范围:STD2NB25能在-55°C到150°C的宽温度范围内稳定工作,确保其在不同环境下的可靠性。

    综上所述,STD2NB25作为一种性能优异的N沟道MOSFET,凭借其低导通电阻、高电压耐受能力和高效的开关特性,在多个应用领域中得到了广泛的应用。无论是电源管理、电机驱动还是LED照明,STD2NB25都表现出了出色的性能和稳定性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

    扫一扫!

    深圳市壹芯微科技有限公司 版权所有 | 备案号:粤ICP备2020121154号