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场效应MOS管STD1HN60K3参数

PD最大耗散功率:27WID最大漏源电流:1.2AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:8ΩVRDS(ON)ld通态电流:0.6AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STD1HN60K3是一种N沟道功率MOSFET(场效应晶体管),其主要应用场景和参数特点如下:

    一、应用场景:

    1. 电源管理:STD1HN60K3常用于各种电源管理系统,包括DC-DC转换器和开关电源(SMPS)。由于其高效的开关性能和低导通电阻,能够在这些系统中提供高效能量传输和转换。

    2. 电动工具:STD1HN60K3在电动工具中的应用十分广泛,如电钻、电锯等。其高耐压和高电流处理能力使其适合于高功率驱动电路,能够确保工具在高负载下稳定运行。

    3. 汽车电子:在汽车电子领域,STD1HN60K3被用作控制单元中的开关元件,用于控制电动机、LED照明和其他电气设备。其耐高温和高可靠性特点,符合汽车行业的严苛要求。

    4. 工业控制:STD1HN60K3适用于各种工业控制系统,如PLC(可编程逻辑控制器)和工业自动化设备。其高效率和耐用性,确保了在工业环境中的稳定运行。

    5. 家用电器:STD1HN60K3在家用电器中的应用,如空调、冰箱和洗衣机等。其低导通电阻和高效开关能力,使其能有效减少电器的功耗和热量产生。

    二、参数特点:

    - 耐压高:STD1HN60K3的漏源击穿电压(BVDSS)为600V,使其能够在高电压应用中可靠运行,适合于需要高耐压元件的电路设计。

    - 低导通电阻:STD1HN60K3的典型导通电阻(RDS(on))仅为1.2Ω(VGS=10V),低导通电阻意味着在导通状态下损耗更低,提升了整体效率。

    - 高电流处理能力:STD1HN60K3的连续漏极电流(ID)可达1A(TC=25°C),能够处理较高的电流,使其适合大功率应用。

    - 快速开关性能:STD1HN60K3具有快速开关特性,典型的开关时间(tr+tf)非常短,这使得其在高频应用中能够高效工作,减少开关损耗。

    - 热特性优越:STD1HN60K3的热阻(RθJC)为6°C/W,这意味着其能够有效散热,确保在高功率条件下长时间稳定工作。

    综上所述,STD1HN60K3作为一款高性能的N沟道功率MOSFET,凭借其卓越的参数和广泛的应用场景,在电源管理、电动工具、汽车电子、工业控制和家用电器等领域中发挥着重要作用。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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