PD最大耗散功率:70WID最大漏源电流:10AV(BR)DSS漏源击穿电压:25VRDS(ON)Ω内阻:0.55ΩVRDS(ON)ld通态电流:4AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA
立即咨询一、应用场景:
1. 开关电源:在开关电源中,STD10NM60N作为开关元件使用。其低导通电阻和快速切换能力使其在高效能和低功耗的电源管理系统中表现出色。
2. 电机驱动:在电机控制电路中,STD10NM60N常被用于驱动电机。这款MOSFET的高耐压和高电流处理能力使其适用于需要高功率输出的应用,如工业自动化和电动工具。
3. 不间断电源(UPS)系统:在UPS系统中,STD10NM60N用于管理电源的切换和转换,以确保在电力故障时能持续供电。这款器件的高效能特性对提高UPS系统的可靠性至关重要。
4. 太阳能逆变器:在太阳能发电系统中,STD10NM60N用于逆变器电路,将直流电转换为交流电。其高效能和高耐压特性能够提升太阳能系统的整体效率。
5. 音频放大器:在音频放大器中,STD10NM60N用于放大音频信号,提供高品质的音频输出。其低噪声和高线性度特性使其在高保真音频系统中表现优异。
二、参数特点:
- 最大漏源电压(Vds)为600V:这一高耐压特性使得STD10NM60N能够在高压应用中安全工作,适用于需要高电压处理能力的电路设计。
- 最大漏极电流(Id)为10A:高电流处理能力使STD10NM60N能够驱动大功率负载,满足高功率应用的需求。
- 低导通电阻(Rds(on):在典型的10V栅极电压下,导通电阻低至0.75Ω。这一特点减少了功率损耗,提高了整体电路的效率。
- 快速开关速度:STD10NM60N的快速开关特性使其在高频应用中表现优异,减少了开关损耗和电磁干扰(EMI)。
- 高可靠性和稳定性:STD10NM60N采用先进的制造工艺,确保其在各种工作条件下都能保持高可靠性和稳定性。
综上所述,STD10NM60N凭借其卓越的参数特点和广泛的应用场景,在电子电路设计中占据重要地位。无论是在高效电源管理系统、电机驱动还是高保真音频放大器中,STD10NM60N都能发挥出色的性能。
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