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场效应MOS管SI9435参数

PD最大耗散功率:2.5WID最大漏源电流:-5.3AV(BR)DSS漏源击穿电压:-30VRDS(ON)Ω内阻:53MΩVRDS(ON)ld通态电流:-4.9AVRDS(ON)栅极电压:-10VVGS(th)V开启电压:-1~-3VVGS(th)ld(μA)开启电流:-250μAGfs(min)S跨导:12SGfs(min)VDS漏源电压:-15VGfs(min)lo通态电流:-5.3A

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    SI9435是一款N沟道场效应管(NFET),常用于低压和低功耗的电路设计中。它具有多种应用场景和参数特点,以下将分别进行详细介绍。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:SI9435作为低压、低功耗的场效应管,常用于电源管理电路中,如电池管理、DC-DC转换器等。

    2. 电机驱动:在小型电机控制电路中,SI9435可以用作电机的驱动器,实现电机的控制和调速。

    3. LED照明:在LED照明系统中,SI9435可用于LED的电流控制和功率管理,提高系统的效率和稳定性。

    4. 电子开关:作为MOSFET,SI9435在电子开关电路中扮演着重要的角色,用于控制电路的通断状态。

    二、参数特点:

    1. 低导通电阻:SI9435具有较低的导通电阻,有助于减小导通时的功耗和热耗散,提高系统效率。

    2. 低阈值电压:其低阈值电压使得在低电压下也能够实现较好的导通状态,适用于低电压系统。

    3. 高温度稳定性:SI9435在高温环境下依然能够保持稳定的性能,适用于高温工作环境。

    4. 快速开关速度:具有快速的开关速度,有助于提高电路的响应速度和动态性能。

    5. 小封装体积:封装体积小巧,适合于对尺寸要求较为严格的应用场景,如便携式设备或集成电路板。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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