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三极管SI2308参数

PD最大耗散功率:1.25WID最大漏源电流:5.4AV(BR)DSS漏源击穿电压:20VRDS(ON)Ω内阻:27MΩVRDS(ON)ld通态电流:5.4AVRDS(ON)栅极电压:4.5VVGS(th)V开启电压:0.5~1.2VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μAGfs(min)S跨导:17SGfs(min)VDS漏源电压:10VGfs(min)lo通态电流:5.4A

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    SI2308是一款功率场效应晶体管(MOSFET),由于其优异的电气性能和可靠性而广泛应用于许多应用场景。

    一、应用场景

    1.电源管理模块:SI2308广泛应用于智能手机、笔记本电脑、电动工具等电子设备的电源管理。电流和电压可以得到有效的控制和优化。

    2.开关模式电源(SMPS):该组件提供卓越的开关电源性能,SI2308特性有助于保持开关电源的稳定性能。为应用提供高转换效率,特别适合需要小功率模块和高频电路的场景。

    3.电机驱动控制:对于电机控制应用,SI2308由于其低导通电阻和良好的散热性能,提供有效的功率传输,并且可以与电机或步进电机控制模块一起使用,以驱动可变得更有效率。我们为自动化设备和家用电器提供可靠的驱动解决方案。

    4.LED照明控制:SI2308为LED驱动电路提供低损耗开关特性,适用于LED照明模块中亮度和电流的精确控制,实现高效率的电流控制,从而延长LED灯的使用寿命并降低能源消耗。

    5.便携式设备:由于SI2308体积小、功耗低,广泛应用于需要轻薄设计的便携式设备。这些设备通常包括平板电脑、智能可穿戴设备等。MOSFET的低损耗特性有助于延长设备的电池寿命。

    二、参数特点

    - 低导通电阻 (RDS(ON)):SI2308的低导通电阻导致极低的通态功耗,从而提高整体效率。此功能在能源管理和电机驱动等应用中尤为重要。低导通电阻可有效控制大电流并减少发热。

    - 高开关速度:SI2308的高开关速度确保了开关电源和高频电路中的卓越性能。这种快速开关能力可实现低功耗,并可支持高速数字信号传输,使其成为功率转换数字/模拟混合电路的理想选择。

    - 栅极电压控制 (VGS):SI2308具有较低的栅极电压阈值(通常约为1V),允许在低电压控制下启动和运行,使其适合低功耗便携式应用。对于电子产品所需的功耗控制来说,这个参数特性尤其重要,因为它可以显著降低电路的功耗。

    - 封装尺寸:SI2308采用SOT-23封装。紧凑的封装方法可以轻松集成到空间有限的电路板中。小尺寸使其适合使电子产品变得更轻、更小,使安装和散热设计更加灵活。

    - 温度稳定性:该器件在较宽的温度范围内表现出稳定的工作特性,通常适用于-55°C至+150°C的稳定运行。SI2308的高温稳定性使其适用于恶劣的工作环境,例如户外设备和工业设施。

    - 低栅极电荷 (Qg):SI2308的低栅极电荷特性提高了高速开关时对驱动电路的要求,有效降低了控制器的功耗。低栅极电荷还意味着控制器中的能量损失。它非常适合高频应用,因为它可以减少高频开关状态下的MOSFET损耗。

    综上所述,SI2308具有较低的导通电阻、高开关速度、低栅极电压和小封装尺寸,确保了许多电子应用中高效稳定的电气性能。它们的温度稳定性和低功耗也使其成为移动设备和工业应用的重要组件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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