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三极管SI2303参数

PD最大耗散功率:1.25WID最大漏源电流:-1.9AV(BR)DSS漏源击穿电压:-30VRDS(ON)Ω内阻:200MΩVRDS(ON)ld通态电流:-1.7AVRDS(ON)栅极电压:-10VVGS(th)V开启电压:-1~-3VVGS(th)ld(μA)开启电流:-250μAGfs(min)S跨导:SGfs(min)VDS漏源电压:VGfs(min)lo通态电流:A

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    SI2303是一款P沟道增强型MOSFET,广泛应用于低功耗电子设备,特别是需要高效开关控制的场合。其应用场景主要有:

    一、应用场景

    1.负载开关:SI2303可应用于智能家居、家用电器等设备中作为负载开关,实现能源管理,降低待机功耗。

    2.电池管理系统:在便携式设备中,SI2303用于电池管理系统,以支持电流路径控制和电池切换。

    3.电动工具和电机驱动:小型电动工具和电机控制系统可以使用SI2303作为电流控制元件,提供稳定的电流路径,确保设备高效运行。

    4.信号切换:SI2303具有P沟道特性,可以实现不同供电电路之间的信号切换,适用于通信设备和单片机系统。

    5.反向电流保护:SI2303有效防止电源输入端因电源连接错误而产生的反向电流,保护设备免受损坏。

    二、参数特点

    - 低导通电阻:SI2303具有低导通电阻,可以有效降低开关过程中的功率损耗,提高整体电路效率。

    - 更高的电流容量:SI2303的最大漏电流可达3.7A,适合承载更高的负载,常用于需要大电流控制的场合。

    - 工作电压范围宽:SI2303的工作电压范围高达-20V,适应各种低压电力系统,增加应用灵活性。

    - 开关速度快:开关速度快,支持高频开关,适合需要高效率和快速响应的应用。

    - 小型封装:SI2303采用小型封装设计,非常适合在空间受限的电路中使用,能够有效节省PCB板空间,并增加设计灵活性。

    总的来说,SI2303由于其优异的电气性能和广泛的应用场景,已成为低功耗电子设备中常见的关键器件,为设计人员提供更灵活的电路解决方案。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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