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场效应MOS管RFP2N20L参数

PD最大耗散功率:131WID最大漏源电流:50AV(BR)DSS漏源击穿电压:60VRDS(ON)Ω内阻:0.022ΩVRDS(ON)ld通态电流:50AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    RFP2N20L是一种高效能的场效应晶体管(MOSFET),其广泛应用于多个领域,主要包括以下几个方面。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:RFP2N20L具有出色的开关性能和低导通电阻,非常适用于开关电源(SMPS)和直流-直流转换器。这种晶体管在高频应用中表现尤为出色,能够有效降低开关损耗,提高系统效率。

    2. 电机驱动:在电机控制系统中,RFP2N20L经常用作开关元件。其快速的开关速度和高电流处理能力使其能够高效地控制电机的启停和速度调节,广泛应用于家用电器和工业自动化设备中。

    3. 汽车电子:汽车电子系统对元件的可靠性和耐用性要求极高,RFP2N20L因其高耐压和低导通电阻特点,常用于汽车电子控制单元(ECU)中,例如燃油喷射系统、电动转向系统和车载充电器等。

    4. 光伏逆变器:在太阳能光伏发电系统中,逆变器将直流电转换为交流电。RFP2N20L的高效率和耐用性使其成为光伏逆变器中的关键元件,有助于提升整体系统的能源转换效率。

    5. 音频放大器:高性能音频放大器对功率元件的线性度和开关速度有严格要求,RFP2N20L的低导通电阻和快速响应能力确保了音频信号的高保真度传输,被广泛用于高保真音响设备中。

    二、参数特点:

    - 导通电阻(RDS(on)):RFP2N20L具有极低的导通电阻,在典型工作电流下导通电阻约为0.1欧姆。这一特性显著降低了导通损耗,提高了整体系统的效率。

    - 击穿电压(VDSS):RFP2N20L的击穿电压为200V,能够承受较高的电压应力,适用于需要高耐压能力的应用场景。

    - 漏极电流(ID):该晶体管的最大漏极电流可达2A,适合中等功率的应用需求,能够处理较大的电流负载。

    - 栅极电荷(Qg):RFP2N20L的栅极电荷较低,这意味着其在开关过程中所需的能量较少,有助于实现快速开关和降低开关损耗。

    - 工作频率:RFP2N20L设计用于高频应用,最高工作频率可达几百千赫兹,适合高频开关电源和逆变器应用,确保高效能和快速响应。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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