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场效应MOS管NCE55P15K参数

PD最大耗散功率:35WID最大漏源电流:-15AV(BR)DSS漏源击穿电压:-55VRDS(ON)Ω内阻:0.075ΩVRDS(ON)ld通态电流:-5AVRDS(ON)栅极电压:-10VVGS(th)V开启电压:-1.5~-3.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    NCE55P15K是一款场效应功率晶体管,通常被广泛应用于各种功率放大和开关电路中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 通信设备: NCE55P15K 在通信设备中用于功率放大和开关控制,例如在无线基站、通信传输设备中,能够提供高效的功率放大和稳定的开关控制。

    2. 电源管理:在直流-直流转换器、开关稳压器和电源开关等电源管理电路中,NCE55P15K 能够提供高效的功率转换和快速响应,保障电源系统的稳定性。

    3. 汽车电子:在车辆的点火系统、电动汽车的驱动系统等方面,NCE55P15K 可以作为功率放大器和开关控制器,确保电子系统的稳定工作。

    4. 工业自动化:在工业控制系统、机器人控制等方面,NCE55P15K 能够提供高效的功率放大和快速的开关控制,满足复杂工业环境下的电路需求。

    二、参数特点:

    一)低导通电阻: NCE55P15K 具有较低的导通电阻,能够实现高效的功率放大和低损耗的电路控制。

    二)高开关速度:该晶体管具有快速的开关特性,能够在极短的时间内实现开关状态的切换,保障电路的稳定性。

    三)良好的温度稳定性: NCE55P15K 在不同温度下能够保持稳定的性能,适用于各种工作环境。

    四)多样的封装形式:该晶体管可提供多种封装形式,如TO-220、TO-252等,方便在不同的电路板设计中使用。

    五)可靠性高: NCE55P15K 具有良好的可靠性,经过严格的质量检验,能够稳定长时间工作而不易损坏。

    综上所述,NCE55P15K 作为一款场效应功率晶体管,具有低导通电阻、高开关速度和良好的温度稳定性等特点,适用于通信设备、电源管理、汽车电子和工业自动化等多个领域的电路设计。其稳定可靠的性能使其成为工程师在电路设计中的首选之一。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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