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光耦合成器MOC8050M参数

正向电流IF(mA)
60 mA
峰值电流IFM(A)
A
反向电压VR(V)
3 V
功耗P(mW)
120 mW
集电极发射电压VECO(V)
50 V
发射机电极电压VECO(V)
V
集电极电流IC(mA)
150 mA
集电极功耗PC(mW)
150 mW
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    MOC8050M是一种光耦合器,广泛应用于各种需要电气隔离的场合。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源供应器:在开关电源和适配器中,MOC8050M常用于隔离控制信号和输出信号,确保高压和低压电路之间的安全。

    2. 电机控制:在电机驱动电路中,MOC8050M用于隔离控制电路和驱动电路,防止高压对低压控制电路的干扰。

    3. 工业自动化:在PLC(可编程逻辑控制器)系统中,MOC8050M可用于隔离输入和输出信号,提高系统的抗干扰能力和可靠性。

    4. 通信设备:MOC8050M可以用于隔离通信设备中的不同模块,确保信号传输的稳定性和设备的安全性。

    5. 家用电器:在智能家居设备中,MOC8050M可用于隔离控制单元和执行单元,如在智能灯控和温控器中应用。

    二、参数特点:

    - 高隔离电压:MOC8050M具备高达5000 Vrms的隔离电压,能够有效隔离高压和低压电路,保护低压侧的元件和人员安全。

    - 快速响应时间:MOC8050M的开关速度非常快,通常在几微秒以内,这使得它能够在高速应用中保持高效的信号传输。

    - 低输入电流:MOC8050M的LED驱动电流较低,通常在10mA以下,能够在较低功耗的情况下实现有效的信号耦合。

    - 宽工作温度范围:MOC8050M适用于-40°C至+100°C的工作温度范围,能够在各种极端环境中稳定工作,适应性强。

    - 高抗干扰能力:由于MOC8050M采用光耦合技术,具有优良的抗电磁干扰能力,可以在复杂的电磁环境中保持稳定的信号传输。

    综上所述,MOC8050M作为一种高性能的光耦合器,其应用范围广泛,参数特点突出,是现代电子设计中不可替代的重要元件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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